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振華科技:將大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體并實現(xiàn)SiC SBD系列產(chǎn)品自制

日期:2024-03-05 閱讀:250
核心提示:振華科技近日在投資者在互動平臺表示:十四五期間,公司大力發(fā)展以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體,SiC方面,未來,公司將具備芯

 振華科技近日在投資者在互動平臺表示:“十四五”期間,公司大力發(fā)展以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體,SiC方面,未來,公司將具備芯片自主設(shè)計、封測能力,實現(xiàn)SiC SBD系列產(chǎn)品自制,同時開展SiC VDMOS系列產(chǎn)品的設(shè)計開發(fā)工作,形成SiC VDMOS設(shè)計能力。

 

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