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士蘭微獲得發(fā)明專利授權(quán):“功率半導體器件及其制造方法”

日期:2024-02-26 閱讀:341
核心提示:證券之星消息,根據(jù)企查查數(shù)據(jù)顯示士蘭微(600460)新獲得一項發(fā)明專利授權(quán),專利名為功率半導體器件及其制造方法 ,專利申請?zhí)?/div>

 證券之星消息,根據(jù)企查查數(shù)據(jù)顯示士蘭微(600460)新獲得一項發(fā)明專利授權(quán),專利名為 " 功率半導體器件及其制造方法 ",專利申請?zhí)枮?CN202111546517.7,授權(quán)日為 2024 年 2 月 23 日。

專利摘要:公開了一種功率半導體器件及其制造方法,功率半導體器件包括:半導體襯底;位于半導體襯底上的外延層;位于外延層中的第一介質(zhì)槽和第二介質(zhì)槽,第一介質(zhì)槽和第二介質(zhì)槽內(nèi)填充有第一介質(zhì)層;位于第一介質(zhì)槽內(nèi)的柵氧化層、控制柵和屏蔽柵;位于第一介質(zhì)槽和第二介質(zhì)槽兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū);其中,控制柵由外延層表面延伸至第一介質(zhì)槽上部,屏蔽柵由外延層表面延伸至第一介質(zhì)槽下部,柵氧化層將控制柵和屏蔽柵、控制柵和外延層隔開。本發(fā)明采用兩個介質(zhì)槽的結(jié)構(gòu)使漂移區(qū)的形貌不再是直線,而形成折線 ( V 型或凹型 ) 形貌的漂移區(qū),可以增加漂移區(qū)的有效長度,在同樣的擊穿電壓下實現(xiàn)更小的特征導通電阻。

今年以來士蘭微新獲得專利授權(quán) 14 個,較去年同期增加了 75%。結(jié)合公司 2023 年中報財務數(shù)據(jù),2023 上半年公司在研發(fā)方面投入了 3.63 億元,同比增 15.47%。

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