功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于我國(guó)電力裝備、航空航天等戰(zhàn)略性科技領(lǐng)域，成為關(guān)系國(guó)家安全、國(guó)計(jì)民生與產(chǎn)業(yè)命脈的關(guān)鍵基礎(chǔ)支撐。過(guò)去幾十年里，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過(guò)封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無(wú)法匹配芯片特性等挑戰(zhàn)。

近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門(mén)召開(kāi)。期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)”分會(huì)上，西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、教授王來(lái)利做了“碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展。

研究提出了磁耦合精確調(diào)控多芯片并聯(lián)電熱均衡方法，提出了控制磁場(chǎng)耦合度的多芯片電熱應(yīng)力調(diào)控方法，解決了多芯片不均衡性電熱應(yīng)力調(diào)控難題，為提高寬禁帶器件容量與可靠性建立了基礎(chǔ)。首次獲得了碳化硅半導(dǎo)體在550℃高溫的動(dòng)靜態(tài)特性，掌握了碳化硅極寬溫度范圍內(nèi)關(guān)鍵特征參數(shù)變化規(guī)律，并基于高溫器件實(shí)現(xiàn)了環(huán)境溫度265℃的高溫變換器。

嘉賓簡(jiǎn)介

王來(lái)利，教授、博導(dǎo)，西安交通大學(xué)工業(yè)自動(dòng)化系黨支部書(shū)記、主任，西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)，國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者，入選國(guó)家高層次人才引進(jìn)計(jì)劃青年項(xiàng)目，陜西省高層次人才引進(jìn)計(jì)劃創(chuàng)新人才長(zhǎng)期項(xiàng)目，陜西科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)（帶頭人），小米青年學(xué)者，主要研究寬禁帶半導(dǎo)體芯片、封裝集成與電力電子變換器，承擔(dān)國(guó)家級(jí)項(xiàng)目8項(xiàng)，其中重點(diǎn)項(xiàng)目3項(xiàng)，在重要期刊與國(guó)際會(huì)議上發(fā)表論文240余篇，獲得本領(lǐng)域權(quán)威期刊與重要國(guó)際會(huì)議最佳/優(yōu)秀論文獎(jiǎng)10項(xiàng)，獲得中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)（第1完成人）、中國(guó)電源學(xué)會(huì)科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)（第1完成人）、日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明金獎(jiǎng)（第1完成人）、 陜西自然科學(xué)二等獎(jiǎng)（第1完成人）、陜西省高等學(xué)?？茖W(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)（第1完成人）、中國(guó)電源學(xué)會(huì)杰出青年獎(jiǎng)、中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)青年科技獎(jiǎng)、中國(guó)電力優(yōu)秀青年科技人才獎(jiǎng)、陜西省青年科技獎(jiǎng)、陜西省三秦青年科技創(chuàng)新之星等獎(jiǎng)項(xiàng)，成果入選了2022年中國(guó)科協(xié)“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜-電子信息領(lǐng)域。在8個(gè)國(guó)際國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)組織分支機(jī)構(gòu)擔(dān)任主席（主任）、副主席（副主任）職務(wù)，在3個(gè)電力電子領(lǐng)域權(quán)威期刊擔(dān)任副主編；組織國(guó)際國(guó)內(nèi)重要會(huì)議10次，受邀在會(huì)議中做報(bào)告18次。