據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種基于GaN與碳納米管的CMOS邏輯電路及其制備方法“，公開號(hào)CN117238958A，申請(qǐng)日期為2022年6月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種基于GaN與碳納米管的CMOS邏輯電路及其制備方法。所述CMOS邏輯電路由制備在同一個(gè)芯片上的GaN n型晶體管和碳納米管p型晶體管組成，在襯底上依次層疊緩沖層、電子導(dǎo)電溝道層和勢(shì)壘層，GaN n型晶體管的源極、漏極和柵極結(jié)構(gòu)位于勢(shì)壘層上，柵極位于柵極結(jié)構(gòu)上，GaN n型晶體管上覆蓋鈍化層；碳納米管p型晶體管包括碳納米管溝道及其兩端的漏極和源極，在碳納米管溝道上依次為其柵介質(zhì)層和柵極；碳納米管p型晶體管位于GaN n型晶體管側(cè)面或者上方的鈍化層上。本發(fā)明的CMOS邏輯電路飽和電流密度大，工作速度高，可以作為GaN功率器件的外圍電路，實(shí)現(xiàn)單片集成，有效解決目前Si電路帶來的片間寄生電感問題，從而充分發(fā)揮出GaN功率器件的性能優(yōu)勢(shì)。

（來源：金融界）