10 月 12 日，“美好世界的共同愿景，標準塑造美好生活”紀念世界標準日活動在北京歌華開元酒店舉行。由北京第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》團體標準被北京標準化協(xié)會評為2023 年度高質量團體標準。

T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法，評價器件在承受規(guī)定應力的條件下是否符合規(guī)定的循環(huán)次數(shù)。對于提升SiC MOSFET器件的可靠性評價與分析技術能力，支撐SiC MOSFET器件的可靠性改進具有重要意義。