2017年11月

英諾賽科開啟全球首條 8 英寸硅基氮化鎵量產線，采用IDM全產業(yè)鏈模式，成功研制 8 英寸硅基氮化鎵晶圓。

2018年5月

英諾賽科第一款低壓氮化鎵功率器件上市。

2019年6月

英諾賽科650V 高壓氮化鎵器件通過JEDEC。自此，英諾賽科成為全球唯一一家同時量產高壓和低壓氮化鎵的半導體公司。

2021年3月

英諾賽科雙向導通芯片 V-GaN 正式量產，是全球唯一一款可應用于高壓側負載開關，智能手機 USB /無線充電端口內置 OVP 保護，多電源系統中的開關電路等場景的GaN芯片。

2022年11月

英諾賽科 INN100W032A 榮獲IIC全球電子成就獎，該產品柵極電荷僅為 Si MOS 的20%，Ciss僅為 Si MOS 的 40%，可廣泛應用于電機驅動、Class D、數據中心、motor driver、通信基站等產品領域。

2023年1月

英諾賽科推出100V高集成半橋驅動合封芯片SolidGaN- ISG3201，進一步提升數據中心模塊電源、電機驅動、D類功率放大器、光伏逆變器及輕混電動汽車等48V電源系統的整體性能。

截至2023年8月，英諾賽科成功量產高壓氮化鎵芯片（650V-700V）54 款，中低壓氮化鎵芯片（30V-150V）20 款，產品涵蓋晶圓、分立器件、合封芯片三大品類。

02從手機快充到多領域應用 逐一突破

2019年

英諾賽科650V 器件正式進入快充市場。隨后得到華碩、安克、努比亞、倍思、綠聯、閃極等多個終端品牌采用，應用于30W-120W氮化鎵快充產品。

2020年

英諾賽科100V 低壓GaN 成功導入禾賽激光雷達并實現量產，驅動激光器實現更短時間內的圖像傳輸。

2021年3月

騰訊×努比亞紅魔手機6Pro發(fā)布，其標配的業(yè)界首款120W黑魔方氮化鎵快充內置英諾賽科650V芯片。隨著Oppo、Vivo、聯想等廠商的相繼采用，手機標配氮化鎵快充成為行業(yè)趨勢。

2021年10月

英諾賽科自主研發(fā)的雙向導通產品 VGaN 率先導入 OPPO 手機，成為全球首款導入智能手機內部電源開關領域的氮化鎵芯片。Realme、一加、聯想、摩托羅拉等手機也相繼采用VGaN實現充電保護，氮化鎵在消費類電子開拓了新應用空間。

2022年5月

首諾信的發(fā)布全球最小的45W/65W PD 車充，采用英諾賽科40V低壓產品INN040FQ043A。

2022年7月

安克聯合英諾賽科共同發(fā)布全球首款65W全氮化鎵快充，獨創(chuàng)的全氮化鎵技術首次在AC和DC端同時采用氮化鎵功率芯片，使系統功率密度和效率達到了全新高度。

2022年10月

英諾賽科氮化鎵首次在工業(yè)電源產品上實現大規(guī)模量產，全面提升能源轉換效率，降低系統能耗。

2023年4月

英諾賽科低壓產品從工業(yè)級應用進軍到車規(guī)級應用，成功進入汽車激光雷達市場。

2023年7月

英諾賽科開始將氮化鎵應用于新能源光伏發(fā)電領域，進一步縮小了模塊體積，提高系統效率，與合作伙伴共同打造輕便、高效的光伏產品。

氮化鎵應用已經步入快車道，隨著市場需求的急劇增長，器件的可靠性與大批量穩(wěn)定供貨成為關鍵。基于先進且完善的8英寸硅基氮化鎵研發(fā)和制造平臺，英諾賽科當前產能已達到每月15000片，在規(guī)?；⒖煽啃耘c成本上具備極大優(yōu)勢，IDM模式也能快速實現產品的更新迭代，或將成為推動行業(yè)發(fā)展的中堅力量。