近日，晶盛機電表示已成功研發(fā)出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備。

Source：晶盛機電

8英寸碳化硅晶圓的邊緣損耗更小、可利用面積更大，未來通過產量和規(guī)模效益的提升，成本有望降低60%以上。為未來碳化硅材料大規(guī)模應用提供低成本的先決條件。

晶盛機電稱，8英寸單片式碳化硅外延設備可兼容6、8英寸碳化硅外延生產，在6英寸外延設備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術基礎上，解決了腔體設計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題，實現了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。

Source：晶盛機電

公司在子公司晶瑞的8 英寸襯底基礎上，已實現8 英寸單片式碳化硅外延生長設備的自主研發(fā)與調試，外延的厚度均勻性1.5%以內、摻雜均勻性4%以內，達到行業(yè)領先水平。為國內碳化硅行業(yè)技術、產能升級提供充分的設備保障。

晶盛機電戰(zhàn)略定位先進材料、先進裝備市場，圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開發(fā)一系列關鍵設備，業(yè)務同時延伸至化合物半導體材料領域。

碳化硅方面，據此前報道，晶盛機電8英寸N型SiC襯底將小批量生產；公司已與客戶A形成采購意向（公司公告），2022年-2025年將優(yōu)先向其提供碳化硅襯底合計不低于23萬片；計劃在寧夏銀川建設年產40萬片6英寸以上導電+絕緣型碳化硅襯底產能，計劃于2022年試生產。