科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長(zhǎng)速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績(jī)。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn)，打破了國(guó)際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。

1.科友半導(dǎo)體突破了大尺寸、高厚度、低應(yīng)力碳化硅晶體制備關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅襯底成本是限制其下游應(yīng)用的關(guān)鍵因素，碳化硅晶體的尺寸和厚度的持續(xù)增加是襯底成本降低的關(guān)鍵?？朴寻雽?dǎo)體基于設(shè)備、原料、熱場(chǎng)、工藝方面的優(yōu)勢(shì)積累，通過提高原料及氣相組分比例穩(wěn)定性、維持長(zhǎng)期生長(zhǎng)的穩(wěn)定溫場(chǎng)和濃度場(chǎng)條件、調(diào)控晶體生長(zhǎng)速率和均勻性，實(shí)現(xiàn)了高厚度、低應(yīng)力6/8英寸碳化硅晶體穩(wěn)定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎(chǔ)上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。

2.科友半導(dǎo)體突破了零微管、低位錯(cuò)的高品質(zhì)碳化硅晶體制備關(guān)鍵技術(shù)

低缺陷、高質(zhì)量是襯底產(chǎn)品的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一?？朴寻雽?dǎo)體通過粉料純化預(yù)結(jié)晶處理、應(yīng)用蒸鍍碳化鉭（TaC）蒸鍍石墨結(jié)構(gòu)件、熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、籽晶鍍膜背保護(hù)等多項(xiàng)獨(dú)家技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)零微管缺陷的基礎(chǔ)上進(jìn)一步降低了位錯(cuò)缺陷密度，6英寸晶體位錯(cuò)缺陷密度＜3000個(gè)cm-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個(gè)cm-2，位錯(cuò)缺陷密度＜5000個(gè)cm-2，晶體質(zhì)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

3.科友半導(dǎo)體突破了大尺寸碳化硅高速率生長(zhǎng)關(guān)鍵技術(shù)

PVT法碳化硅晶體生長(zhǎng)具有生長(zhǎng)速率慢、周期長(zhǎng)的特點(diǎn)，極大限制了8英寸碳化硅晶體的制造成本。科友半導(dǎo)體基于高熱場(chǎng)穩(wěn)定性、高工藝穩(wěn)定性、和高裝備穩(wěn)定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長(zhǎng)工藝技術(shù)，長(zhǎng)晶速率已達(dá)到170μm/h以上，長(zhǎng)晶周期約為4-5天，單臺(tái)長(zhǎng)晶爐設(shè)備每月運(yùn)轉(zhuǎn)約6-7爐次。長(zhǎng)晶工藝時(shí)長(zhǎng)短結(jié)合設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)次數(shù)多，進(jìn)一步降低了制造成本，為大規(guī)模8英寸襯底量產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。

4.科友半導(dǎo)體掌握了高穩(wěn)定性、高良率大尺寸碳化硅制備技術(shù)

長(zhǎng)晶良率是8英寸碳化硅晶體低成本產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵，科友半導(dǎo)體基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合8英寸晶體生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝特性，在高穩(wěn)定性電阻長(zhǎng)晶爐的基礎(chǔ)上，采取了獨(dú)特的保溫設(shè)計(jì)和先進(jìn)的熱場(chǎng)分區(qū)結(jié)構(gòu)，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長(zhǎng)的工藝技術(shù)，大幅提升了長(zhǎng)晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性。

目前，科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，8英寸SiC中試線平均長(zhǎng)晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望粉碎國(guó)際封鎖，成為我國(guó)大尺寸低成本碳化硅規(guī)?；慨a(chǎn)制造技術(shù)的領(lǐng)跑者。

材料產(chǎn)品介紹  Material Product Introduction

▲6英寸到8英寸產(chǎn)品各階段展示（從左至右）

▲6英寸和8英寸產(chǎn)品對(duì)比

▲8英寸產(chǎn)品展示

項(xiàng)目介紹  Introduction

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司成立于2018年5月，企業(yè)坐落于哈爾濱市新區(qū)，是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計(jì)、科研成果轉(zhuǎn)化的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長(zhǎng)晶工藝、襯底加工等多個(gè)領(lǐng)域，已形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控?？朴寻雽?dǎo)體在哈爾濱新區(qū)打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)，實(shí)現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長(zhǎng)-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，致力成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應(yīng)商。