“半導(dǎo)體設(shè)備是數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基石。”近日，在由廣發(fā)證券與上海證券報聯(lián)合主辦的“對話掌門人”精品上市公司交流會上，中微公司副總經(jīng)理杜志游表示。中微公司是首批登陸科創(chuàng)板的企業(yè)，上市近4年來，公司借力資本市場，在創(chuàng)始人尹志堯的帶領(lǐng)下實現(xiàn)了跨越式發(fā)展，目前公司已全面覆蓋刻蝕設(shè)備及部分薄膜沉積設(shè)備，并積極布局光學(xué)檢測設(shè)備。

“中微公司開發(fā)的四類設(shè)備均達到國際先進水平。”杜志游介紹，在等離子體刻蝕領(lǐng)域，中微公司開發(fā)的CCP電容性刻蝕機已進入5nm及以下晶圓生產(chǎn)線、進入2D和3D存儲器生產(chǎn)線，開發(fā)的ICP電感性刻蝕機正在迅速擴大市場占有率，開發(fā)的深硅刻蝕機成為國內(nèi)TSV/MEMS領(lǐng)域主流設(shè)備并進入歐洲的MEMS生產(chǎn)線量產(chǎn)。在薄膜設(shè)備領(lǐng)域，公司開發(fā)的MOCVD在國內(nèi)外氮化鎵基LED市場占據(jù)主導(dǎo)地位，公司已組建團隊開發(fā)EPI設(shè)備、LPCVD設(shè)備等。

據(jù)了解，過去十年，刻蝕和薄膜設(shè)備是成長最快的前道半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。2022年，刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備、光刻機是價值量占比最大的三個類別，其占設(shè)備市場比例分別約為22%、22%、17%。其中，在市場規(guī)模約230億美元的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，CCP高能等離子體刻蝕設(shè)備、ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備的市場占比分別為47.5%、47.9%。

　“先進芯片制程主要靠等離子體刻蝕和薄膜設(shè)備的多重模板技術(shù)，刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備的需求大幅增加。”談及賽道成長空間，杜志游介紹，在邏輯制程上，芯片尺寸越來越小，需要的等離子體刻蝕步驟越來越多，對應(yīng)也就需要更多的刻蝕設(shè)備。在存儲領(lǐng)域，從2D到3D，隨著存儲層數(shù)的增加，刻蝕的需求也在大幅增加。

中微公司不斷加強技術(shù)、人才資金、供應(yīng)鏈、客戶等方面的競爭力。“公司的CCP單雙機臺和ICP單雙機臺可覆蓋大部分刻蝕應(yīng)用。”杜志游介紹，目前，中微公司有超過3311個反應(yīng)臺在客戶的106條芯片生產(chǎn)線上實現(xiàn)全面量產(chǎn)。

“中微公司將通過有機成長和外延擴展，發(fā)展成為國際一流的微觀加工設(shè)備公司。”杜志游表示，中微公司總結(jié)了四個“十大”，包括產(chǎn)品開發(fā)十大原則、戰(zhàn)略銷售十大準(zhǔn)則、營運管理十大章法和精神文化十大作風(fēng)，助力企業(yè)高速、穩(wěn)定、健康和安全發(fā)展。

（來源：上海證券報）