安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）公布的財(cái)報(bào)、財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)皆優(yōu)，碳化硅（SiC）產(chǎn)量超乎內(nèi)部預(yù)期，激勵(lì)股價(jià)跳空大漲。

MarketWatch、Benzinga等外電報(bào)道，安森美1日美股盤前公布，第一季（1-3月）經(jīng)調(diào)整后的非一般公認(rèn)會(huì)計(jì)原則（Non-GAAP）每股稀釋盈余達(dá)1.19美元、低于去年同期的1.22美元；營(yíng)收從去年同期的19.5億美元略增至19.6億美元。

這優(yōu)于市場(chǎng)原先預(yù)期。根據(jù)FactSet調(diào)查，分析師原本預(yù)測(cè)安森美Q1 Non-GAAP每股稀釋盈余、營(yíng)收將達(dá)1.08美元、19.2億美元。

安森美首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury通過財(cái)報(bào)聲明稿表示，即便總經(jīng)環(huán)境充滿不確定性，Q1財(cái)報(bào)結(jié)果依舊擊敗預(yù)估。他說，碳化硅營(yíng)收季增將近一倍，主因產(chǎn)量超前內(nèi)部計(jì)劃，而ADAS和能源基礎(chǔ)建設(shè)營(yíng)收的年增率則達(dá)到50%。

預(yù)期本季（4-6月），安森美預(yù)測(cè)Non-GAAP每股稀釋盈余將介于1.14-1.28美元（優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的1.06美元），營(yíng)收則將達(dá)到19.75-20.75億美元（優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的19.3億美元）。

安森美1日股價(jià)應(yīng)聲大漲8.85%、收78.33美元，創(chuàng)4月18日以來收盤新高，漲幅居費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)30支成分股之冠。

美國(guó)其他半導(dǎo)體類股1日也走勢(shì)強(qiáng)勁。英偉達(dá)（NVIDIA Corp.）、微芯片科技（Microchip Technology）分別大漲4.18%、3.27%，漲幅在費(fèi)半成分股中位居第二、三名。