在消費類電子領域，氮化鎵于手機、筆電快充中的應用已大量普及，大大滿足了消費者對移動設備快速續(xù)航的需求。而在手機內部，電源開關依然采用傳統(tǒng)的硅MOSFET，其體積與阻抗的限制，不僅占據了手機主板的大量空間，且在面對大功率快充時，硅MOSFET會產生較大的溫升與效率損耗，影響快充的穩(wěn)定性與大功率充電持續(xù)時間。
氮化鎵作為第三代半導體材料，具備高頻高效、低導阻等優(yōu)越特性，應用于手機主板也具備極大優(yōu)勢。
2022年，英諾賽科開創(chuàng)了氮化鎵 40V 器件平臺，并率先將雙向導通 VGaN INN040W048A（40V/4.8mΩ）產品成功導入Oppo、Realme 手機主板內部，實現體積減少64%，峰值功率發(fā)熱降低85%等優(yōu)越性能表現，獲得了良好的市場反饋。基于40V 平臺的迭代與升級，近期，英諾賽科 VGaN 家族迎來了兩名新成員：INN040W080A、INN040W120A。
INN040W080A
產品特性：
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支持雙向導通，無反向恢復
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40V/8mΩ 超低導通電阻
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1.7mmx1.7mm WLCSP封裝，寄生參數小
應用領域：
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高側負載開關
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智能手機USB端口中的OVP保護
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多電源系統(tǒng)中的開關電路
INN040W120A
產品特性：
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支持雙向導通，無反向恢復
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40V/12mΩ 超低導通電阻
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1.7mmx1.7mm WLCSP封裝，寄生參數小
應用領域：
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高側負載開關
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智能手機USB端口中的OVP保護
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多電源系統(tǒng)中的開關電路
INN040W080A、INN040W120A延續(xù)了 InnoGaN 導通電阻低、封裝寄生參數小、開關速度快、無反向恢復等諸多特性，在高壓側負載開關，智能手機 USB /無線充電端口內置 OVP 保護，多電源系統(tǒng)中的開關電路等場景中，能更好地體現低阻抗、高效率與高功率密度三大優(yōu)勢。
VGaN 三大亮點
僅使用1顆VGaN 就能替代傳統(tǒng)共漏連接的背靠背NMOS，實現更低導通損耗的手機電池充、放電功能，并節(jié)省手機內部寶貴的空間；
降低手機在充電過程中的溫升，在快速充電時可以保持比較舒適的機身溫度，延長電池使用時間，為用戶提供良好的充電體驗；
使氮化鎵在更高功率的快充場景中具備競爭力，實現手機內部GaN芯片“零” 的突破。
英諾賽科VGaN 系列新增的兩款40V雙向導通芯片，以其不同的導通電阻，拓展了更廣的功率場景，不僅為客戶設計選型提供更多參考，還進一步擴大了氮化鎵在消費電子領域的應用。而基于大規(guī)模8英寸硅基氮化鎵技術的研發(fā)、制造與迭代，英諾賽科的產品質量和成本優(yōu)勢也已在行業(yè)中得到體現。
