2023年2月7-10日（7日報到），第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中，射頻電子材料與器件技術(shù)分會作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認最新日程出爐??！
第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信等領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。GaN 已成為射頻功率應(yīng)用中 LDMOS 和 GaAs 的重要競爭對手，其性能和可靠性不斷提高且成本不斷降低。
據(jù)組委會透露，作為IFWS 2022的重要分會之一，“射頻電子材料與器件分會”將于2月10日08:30-12:00召開。該分會主題涵蓋氮化鎵微波器件及其芯片設(shè)計及在移動通信中的應(yīng)用等各方面，得到了英諾賽科、蘇州能訊高能半導體有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司等單位的協(xié)辦支持。同時，由中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家陳堂勝，中國電子科技集團公司第五十八研究所所長蔡樹軍，蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千，中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻，日本德島大學教授、江南大學教授敖金平，南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇，中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任馮志紅，中興通訊股份有限公司無線射頻總工劉建利等業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。
屆時，該分會將有：澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWAL，南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理錢峰，復旦大學教授黃偉，蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁裴軼，南京理工大學副教授黃同德，日本京都大學教授Naoki SHINOHARA，中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理杜鵬搏，山東大學新一代半導體材料研究院研究員崔鵬，北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總經(jīng)理黃鑫，西安電子科技大學王鵬飛等科研院校與代表企業(yè)的知名企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞射頻電子材料與器件技術(shù)分享主題報告。目前該分會日程已經(jīng)出爐，詳情如下：
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技術(shù)分論壇：射頻電子材料與器件 Technical Sub-Forum: RF Electronic Materials and Devices |
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時間：2023年2月10日08:30-12:00 地點：地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • 會議室K8 Time: Feb 10，2023，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K8 |
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協(xié)辦支持/Co-organizer: 英諾賽科/Innoscience Technology Co., Ltd 蘇州能訊高能半導體有限公司/Dynax Semiconductor, Inc 廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司/Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
陳堂勝 / CHEN Tangsheng 中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家 Chief Scientist of Nanjing Electronic Devices Institute 蔡樹軍 / CAI Shujun 中國電子科技集團公司第五十八研究所所長 Professor and the President of 58th Institute, CETC 張乃千 / ZHANG Naiqian 蘇州能訊高能半導體有限公司董事長 Chairman of Dynax Semiconductor Inc. |
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08:30-08:50 |
Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact model Sourabh KHANDELWAL——澳大利亞麥考瑞大學教授 Sourabh KHANDELWAL——Professor of Macquarie University, Australia |
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08:50-09:10 |
5G移動通信用化合物器件研究 Research on Compound Semiconductor Devices for 5G Mobile Communication QIAN Feng——Deputy General Manager of Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd |
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寬帶 Research on Broadband GaN Millimeter Wave Devices 黃偉——復旦大學教授 HUANG Wei Professor of Fudan University |
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09:30-09:50 |
氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領(lǐng)域的創(chuàng)新 GaN Driving innovation in 5G, RF Energy and beyond 裴軼——蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁 PEI Yi——Vice President of Dynax Semiconductor, Inc |
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09:50-10:10 |
28GHz氮化鎵基時間調(diào)制波束成形系統(tǒng) 28GHz GaN based time modulated beamforming system 黃同德——南京理工大學副教授 HUANG Tongde——Associate Professor of Nanjing University of Science and Technology |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:25-10:45 |
太陽能衛(wèi)星及相關(guān)波束無線電力傳輸技術(shù)的最新研發(fā)進展 Recent R&D of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer Technology Naoki SHINOHARA——Professor of Kyoto University, Japan |
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10:45-11:05
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47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設(shè)計 Design of 47GHz-52GHz Power Amplifier Chipset 杜鵬搏——中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理 DU Pengbo——Senior Engineer of Hebei Semiconductor Institute, Deputy General Manager of Hebei New North China Integrated Circuit Co., Ltd |
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11:05-11:25
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電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs High-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬——山東大學新一代半導體材料研究院研究員 CUI Peng——Research Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University |
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11:25-11:45 |
國產(chǎn)突破，中國射頻前端產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)5G 芯時代 Domestic breakthrough, China's RF front-end industry leads the 5G Chip era 黃鑫——北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總經(jīng)理 HUANG Xin Vice General Manager of Beijing onMicro Electronics Co., Ltd. |
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11:45-12:00 |
雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究 Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands 王鵬飛——西安電子科技大學 Wang Pengfei——Xidian University |
【部分嘉賓簡介】
陳堂勝
中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
陳堂勝，1986年、1989年畢業(yè)于西安交通大學半導體物理與器件專業(yè)，分別獲學士和碩士學位，1989年到南京電子器件研究所參加工作至今，長期從事GaAs、GaN等化合物半導體微波功率器件和單片電路的研制，現(xiàn)為中國電子科技集團公司制造工藝領(lǐng)域首席科學家，目前在開展金剛石襯底GaN HEMT、異構(gòu)集成等方面的研究。
張乃千
蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
張乃千，1995年清華大學電子工程系本科畢業(yè)，2002年在加州大學圣塔巴巴拉分校獲得電子工程博士學位。博士畢業(yè)后，張乃千選擇了于工業(yè)界發(fā)展，進入了當時全球最大的射頻半導體生產(chǎn)廠家RFMD公司。在RFMD任職期間張乃千擔任了公司氮化鎵HEMT專業(yè)指導委員會委員，并因RF3800系列產(chǎn)品的開發(fā)獲得公司“突出貢獻(Spotlight)”獎。他于2007年回國創(chuàng)辦了能訊半導體并任總裁。能訊是中國首家第三代半導體氮化鎵電子器件設(shè)計與制造商業(yè)企業(yè)，自主進行氮化鎵外延生長、晶圓制造、內(nèi)匹配與封裝等。張乃千是美國電子工程師協(xié)會（IEEE）會員，曾擔任其核心雜志IEEE EDL的審稿人。他也是華美半導體協(xié)會理事。
Sourabh Khandelwal
澳大利亞麥考瑞大學教授
Sourabh Khandelwal，澳大利亞麥考瑞大學教授，Khandelwal博士在麥格理大學領(lǐng)導一個充滿活力的研究小組，專注于半導體器件建模和仿真。他是CMC GaN RF和功率器件的全球行業(yè)標準ASM-HEMT模型的主要作者。他撰寫了150多篇論文，并出版了3本關(guān)于GaN、FDSOI和FinFET技術(shù)的書籍。在此之前，Khandelwal博士曾在加州大學伯克利分校的BSIM小組和IBM半導體研究中心工作。
Naoki Shinohara
日本京都大學教授
Naoki Shinohara，日本京都大學教授。他于1996年獲得了日本京都大學博士學位，并先后在京都大學的空間射頻研究中心和人類生存圈研究所從事太陽能衛(wèi)星和無線能量傳輸?shù)确较虻难芯浚芯款I(lǐng)域包括無線電力傳輸、微波電力傳輸和太陽能電力衛(wèi)星等。他是IEEE、URSI、IEICE、IEEJ、WiPoT等協(xié)會會員，并作為IEEE杰出演講人在世界多個知名高校展開以"無線能量傳輸"為主題的講座。
錢 峰
南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理
錢峰，南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理。研究員級高級工程師。1993年6月至2001年12月,歷任中國電科五十五所一部二室助理工程師、工程師;2001年12月至2006年6月,歷任中國電科五十五所一中心高級工程師、研究員級高級工程師;2006年6月至2011年3月,歷任中國電科五十五所集成電路設(shè)計部副主任、主任;2011年3月至2012年2月,任國博有限副總經(jīng)理;2012年2月至2015年3月,任中國電科五十五所單片電路設(shè)計部主任;2015年3月至2018年9月,任中國電科五十五所副總工程師;2018年9月至2020年12月,任國博有限副總經(jīng)理;2020年12月至今,任南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理。
裴 軼
蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁
裴軼，蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁。帶領(lǐng)團隊開展氮化鎵技術(shù)研發(fā)，解決芯片產(chǎn)品規(guī)?；a(chǎn)的瓶頸，構(gòu)建公司完整的技術(shù)研發(fā)體系，帶領(lǐng)團隊申請發(fā)明專利400余項。成功建成國內(nèi)第一條具有國際水平的民用氮化鎵電子生產(chǎn)線，填補國內(nèi)第三代半導體技術(shù)空白，培養(yǎng)出100余名優(yōu)秀產(chǎn)業(yè)人才。承擔多項國家級重大技術(shù)攻關(guān)項目，開發(fā)5G移動通信用氮化鎵射頻芯片，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展打開了新的空間。2022年5月，被授予第17屆“江蘇青年五四獎?wù)?rdquo;。
黃 鑫
北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總裁
黃鑫，北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總裁。西安電子科技大學微電子學碩士，十五年4G/5G/IoT無線通信芯片研發(fā)、規(guī)劃、推廣經(jīng)驗。現(xiàn)任昂瑞微副總裁，負責整個公司的戰(zhàn)略發(fā)展，產(chǎn)品定位和公共關(guān)系等。主導定義了十余款4G/5G射頻前端芯片，包括：L-PAMiD/F、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等射頻前端模組?？蛻舭s耀、小米、三星、中興、摩托羅拉、諾基亞等國內(nèi)外知名品牌。用于5G手機終端的射頻前端芯片，已在國內(nèi)一線手機廠商實現(xiàn)超七千萬顆的規(guī)模出貨。
崔 鵬
山東大學新一代半導體材料研究院 研究員
崔鵬，山東大學新一代半導體材料研究院 研究員。2018年6月獲山東大學微電子學院博士學位。2018年7月至2021年7月在美國University of Delaware電子與計算機工程系從事博士后研究。主要從事寬禁帶半導體器件制備與研究，在低功耗器件、射頻器件、功率放大器線性度等方面取得了一些較有影響力的國際指標性成果：首次在氮化鎵（GaN）高電子遷移率場效應(yīng)晶體管（無柵介質(zhì)層）上實現(xiàn)亞閾值擺幅低于理論極限，其亞閾值擺幅可達到30 mV/dec, 為目前報道的無柵介質(zhì)的GaN HEMT最低值，促進了GaN開關(guān)器件的功耗降低和尺寸縮?。恢苽涑鰢H最高功率截止頻率特性的GaN-on-Si 器件，其功率截止頻率可達到270 GHz；研發(fā)的硅基InAlN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)晶體管以國際最高的柵長頻率乘積值，被 Semiconductor Today, ScienceDaily, everything RF, UDaily等分別報道；首次確立極化庫侖場散射與GaN HEMT器件線性度的關(guān)聯(lián)關(guān)系，建立器件層級提高GaN功率放大器線性度的可行性方案。迄今為止,在本領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Scientific Reports, Journal of Applied Physics等發(fā)表論文50余篇，其中第一作者SCI論文20篇，申請/授權(quán)國家發(fā)明專利5項。
黃同德
南京理工大學副教授
黃同德，南京理工大學副教授。研究方向包括化合物微波集成電路芯片（MMIC）；CMOS毫米波集成電路芯片；微波器件物理與仿真模型建立。包括功率放大器，混頻器，低噪聲放大器，本振信號源等,應(yīng)用目標為雷達制導探測，5G毫米波通信等前端系統(tǒng)；有源無源高頻器件建模，服務(wù)于芯片設(shè)計與系統(tǒng)優(yōu)化。主持及參與科研項目包括江蘇省科技廳重點項目“面向5G毫米波通信的新型GaN基波束形成系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”；國家自然科學基金項目“新型高性能納秒級恢復時間氮化鎵低噪聲放大器研究”；留學人員科技創(chuàng)新項目擇優(yōu)資助(B類)，“毫米波氮化鎵集成收發(fā)前端芯片研發(fā)”等。目前已發(fā)表SCI和EI學術(shù)論文26余篇，其中以第一作者身份在相關(guān)領(lǐng)域國際頂級期刊IEEE Trans.和Letters上發(fā)表論文10篇，五年內(nèi)論文被引用273次，單篇最高他引次數(shù)為52次，所發(fā)表成果兩次被國際權(quán)威半導體期刊《Semiconductor Today》專題重點報道.
杜鵬搏
中國電科十三所正高級工程師
河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理
杜鵬搏，中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理，中國電科十三所MMIC芯片領(lǐng)域?qū)＜?，河北省青年拔尖人才。主要從事微?毫米波集成電路設(shè)計、測試及可靠性研究。多項研究成果達到國際先進水平，先后承擔國家重大項目10余項，發(fā)表相關(guān)論文10多篇，申請專利7項。獲得中國電科科學技術(shù)獎一等獎2項、三等獎2項，國防科學技術(shù)進步獎二等獎2項、三等獎1項。
黃 偉
復旦大學教授
黃偉，復旦大學教授。畢業(yè)于北京大學，獲得微電子學與固體電子學博士學位，先后在香港科技大學、中國電子科技集團第五十八研究所從事兩站博士后研究，長期從事射頻、功率半導體器件與集成技術(shù)研究與產(chǎn)品開發(fā)，先后主持及承擔過國家自然科學基金、國防預研、國防新品等項目。擁有海外知名半導體公司芯片研發(fā)和作為創(chuàng)始人創(chuàng)立高科技企業(yè)等經(jīng)歷。先后在IEDM、IEEE EDL、IEEE TED等專業(yè)期刊發(fā)表30余篇文章，獲得省部級技術(shù)發(fā)明獎一項，出版專著一部，主持研制的半導體芯片多次獲得省部級高新產(chǎn)品稱號。曾獲得國家外專局人才引智計劃等。
（備注：后續(xù)會有新增，請以最終日程為準。）
附件：
論壇信息
會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）
會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店
程序委員會
主席：
張 榮——廈門大學黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明——中科院院士、復旦大學芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長、中科院微電子研究所研究員
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩——中國科學院特聘研究員
張國義——北京大學東莞光電研究院常務(wù)副院長、教授
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
徐 科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波——電子科技大學教授
陳 敬——香港科技大學教授
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學教授
主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率電子材料與器件
主題分論壇主席：
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
a.碳化硅功率電子材料與器件
召集人：
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
柏 松——中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
張清純——復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
張玉明——西安電子科技大學微電子學院院長、教授
王德君——大連理工大學教授
袁 俊——九峰山實驗室功率器件負責人
b.芯片制造工藝及裝備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
F2-氮化物半導體電子材料與器件
主題分論壇主席：
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
a.氮化鎵功率電子材料與器件
召集人：
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
劉 揚——中山大學教授
孫 錢——中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁
梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理
王茂俊——北京大學信息科學技術(shù)學院副教授
b.射頻電子材料與器件
召集人：
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
蔡樹軍——中國電子科技集團公司第五十八研究所所長
張乃千——蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
張 韻——中國科學院半導體研究所副所長、研究員
敖金平——日本德島大學教授、江南大學教授
于洪宇——南方科技大學深港微電子學院院長、教授
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工
F3-功率電子應(yīng)用
主題分論壇主席：
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學電氣工程學院常務(wù)副院長、教授
a.功率模塊封裝及可靠性
召集人：
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學電氣工程學院常務(wù)副院長、教授
李世瑋——香港科技大學教授
陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
楊道國——桂林電子科技大學教授
王來利——西安交通大學教授
樊嘉杰——復旦大學青年研究員
姜 克——安世半導體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
F4-襯底材料與裝備
主題分論壇主席：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陶緒堂——山東大學講席教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
a.碳化硅襯底材料生長與加工
召集人
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陳小龍——中國科學院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員
孫國勝——中科院半導體研究所研究員
馮 淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理
b.氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延
召集人：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐 科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
畢文剛——江蘇第三代半導體研究院副院長
楊 敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官
c.超寬禁帶半導體材料與器件
召集人:
陶緒堂——山東大學講席教授
龍世兵——中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長、教授
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
單崇新——鄭州大學副校長、教授
王新強——北京大學教授、北大東莞光電研究院院長
王宏興——西安交通大學教授
葉建東——南京大學教授
劉玉懷——鄭州大學教授
韓根全——西安電子科技大學教授
d.生長、加工裝備與量測設(shè)備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
F5-半導體照明與光電融合技術(shù)
主題分論壇主席：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
曾一平——中科院半導體所研究員
a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
召集人：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
云 峰——西安交通大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
伊曉燕——中國科學院半導體研究所研究員
郭偉玲——北京工業(yè)大學教授
汪 萊——清華大學電子工程系副教授、信息光電子研究所所長
汪煉成——中南大學教授
張建立——南昌大學研究員
b.半導體激光器
召集人：
曾一平——中科院半導體所研究員
張保平——廈門大學電子科學與技術(shù)學院副院長、教授
莫慶偉——老鷹半導體副總裁、首席科學家
劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
惠 峰——云南鍺業(yè)公司首席科學家、中科院半導體所研究員
F6-超越照明創(chuàng)新應(yīng)用
主題分論壇主席：
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
劉 鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授
a.光品質(zhì)與光健康
召集人
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授
郝洛西——同濟大學建筑與城市規(guī)劃學院教授、國際照明學會（CIE）副主席
林燕丹——復旦大學教授
熊大曦——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術(shù)研究所研究員
牟同升——浙江大學教授
魏敏晨——香港理工大學副教授
蔡建奇——中國標準化研究院視覺健康與安全防護實驗室主任、研究員
劉 強——武漢大學顏色科學與圖像傳播研究所所長、副教授
b.光醫(yī)療
召集人：
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
張鳳民——黑龍江省醫(yī)學科學院副院長，哈爾濱醫(yī)科大學伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任
王彥青——復旦大學基礎(chǔ)醫(yī)學院教授
崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員
蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學教授
董建飛——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術(shù)研究所研究員
陳德福——北京理工大學醫(yī)工融合研究院特聘副研究員
楊 華——中國科學院半導體研究所副研究員
c.光通信與傳感
召集人：
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
馬驍宇——中科院半導體研究所研究員
陳雄斌——中國科學院半導體研究所研究員
田朋飛——復旦大學副研究員
李國強——華南理工大學教授
林維明——福州大學教授
房玉龍——中國電子科技集團公司第十三研究所研究員
d.生物與農(nóng)業(yè)光照
召集人：
楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
唐國慶——中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長、木林森執(zhí)行總經(jīng)理
劉 鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授
泮進明——浙江大學教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長
賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學教授
陳 凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁
華桂潮——四維生態(tài)董事長
徐 虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理
劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學教授
李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長
F7-新型顯示材料及應(yīng)用
主題分論壇主席：
嚴 群——福州大學教授
孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
畢 勇——中國科學院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任
a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備
召集人：
嚴 群——福州大學教授
王新強——北京大學東莞光電研究院院長、北京大學教授
閆春輝——中民研究院常務(wù)副院長、納微朗科技（深圳）有限公司董事長
劉 斌——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
黃 凱——廈門大學物理科學與技術(shù)學院副院長、教授
馬松林——TCL集團工業(yè)研究院副院長
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
邱 云——京東方科技集團股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)
劉召軍——南方科技大學研究員
b.激光顯示三基色材料與器件
畢 勇——中國科學院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任
趙德剛——中國科學院半導體研究所研究員
c.鈣鈦礦、量子點及柔性照明與顯示等
召集人：
孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
廖良生——蘇州大學教授
徐 征——北京交通大學教授
段 煉——清華大學教授
鐘海政——北京理工大學教授
F8-固態(tài)紫外材料與器件
主題分論壇主席：
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任
a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件
b.紫外探測材料與器件
召集人：
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
陸 海——南京大學教授
陳長清——華中科技大學教授
郭浩中——臺灣交通大學特聘教授
李曉航——沙特國王科技大學副教授
許福軍——北京大學物理學院副教授
日程安排
注冊權(quán)益收費表
備注：
＊中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學生參會需提交相關(guān)證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊IFWS相關(guān)會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。
＊SSLCHINA相關(guān)會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導體激光器技術(shù),閉幕大會。
*產(chǎn)業(yè)峰會包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應(yīng)用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
論壇線上注冊平臺
IFWS&SSLCHINA 2022在線注冊通道
*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報名、分享海報等等。
*防疫提醒：目前全國各地防疫政策逐漸放寬，目前進/出蘇州不再查驗核酸、健康碼，組委會提醒參會代表臨行前能做好自我健康檢測，體溫等無異常者，佩戴好口罩即可現(xiàn)場參會。
即日起至2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
