近日，天岳先進在投資者互動平臺表示，截至目前，公司8英寸襯底開發(fā)進展順利。襯底直徑是衡量晶體制備水平的重要指標(biāo)之一，也是降低下游芯片制備成本的重要途徑，碳化硅襯底行業(yè)未來必然向著更大尺寸的方向發(fā)展。公司先前已經(jīng)布局了8英寸產(chǎn)品的研發(fā)，是國內(nèi)最早研發(fā)和布局產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一，包括“8英寸寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體單晶生長及襯底加工關(guān)鍵技術(shù)項目”等。公司將持續(xù)加大8英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)業(yè)化突破，在前期自主擴徑實現(xiàn)8英寸產(chǎn)品研發(fā)成功的基礎(chǔ)上，加大技術(shù)和工藝突破，積極布局產(chǎn)業(yè)化。

目前，公司主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底。公司自主研發(fā)的半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品， 實現(xiàn)了我國核心戰(zhàn)略材料的自主可控。同時，公司的 6 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底正在全球知名的電力電子 領(lǐng)域客戶中進行驗證，并開始批量供貨。