半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，近日，SiC賽道火熱，比亞迪、意法半導體、科友半導體、恒普科技紛紛宣布了與SiC相關的新產(chǎn)品、新技術以及新產(chǎn)線。

 

據(jù)比亞迪半導體公眾號消息顯示，近期，比亞迪半導體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，模塊功率再創(chuàng)新高。

 

消息顯示，相較于市場主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊采用了雙面燒結工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結工藝進行連接，具備更出色的工藝優(yōu)勢與可靠性。

 

該模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應用于新能源汽車電機驅(qū)動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規(guī)級驗證等技術難題，充分發(fā)揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢。

 

公開資料顯示，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得較大技術突破，推出了首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)?；瘧?。

 

自2005年布局功率半導體領域以來，比亞迪半導體先后在功率芯片發(fā)布完全自主研發(fā)的2.5代、4.0代、5.0代車用IGBT技術，并于2022年自主研發(fā)出最新一代精細化溝槽柵復合場終止IGBT6.0技術，產(chǎn)品性能及可靠性大幅提升，達到國際領先水平。

 

科友半導體6英寸SiC晶體厚度突破32mm
 

6月17日，科友半導體宣布，以其自主設備和技術研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破，達到32.146mm，業(yè)內(nèi)領先。此外，其自主研發(fā)的SiC長晶爐（感應爐）已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

 

2021年11月，哈爾濱新區(qū)報報道曾指出，科友半導體已完成6英寸第三代半導體襯底制備，正在進行8英寸襯底研制。

 

在產(chǎn)業(yè)化方面，2021年10月，科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期在建的生產(chǎn)車間大樓封頂并進行二次結構砌筑。據(jù)悉，一期生產(chǎn)車間大樓建成后將鋪設100臺套設備。項目全部達產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)碳化硅襯底近10萬片，高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能；PVT-SiC晶體生長成套設備年產(chǎn)銷200臺套。據(jù)悉，科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期預計將在今年8月份正式投產(chǎn)。

 

據(jù)外媒消息，意法半導體在近日開啟一條全新的SiC功率器件封裝產(chǎn)線。

 

據(jù)悉，新產(chǎn)線所在工廠位于摩洛哥卡薩布蘭卡-塞塔特地區(qū)的博斯克庫拉。擴建工程耗資2.44億美元，擴建完成后將使工廠現(xiàn)有生產(chǎn)面積擴大7500平方米，成為該公司第二大工廠，并成為意法半導體向歐洲供應碳化硅器件戰(zhàn)略的關鍵組成部分。

 

除此之外，意法半導體近期還傳來將與格芯合建晶圓廠的消息。消息稱，GlobalFoundries（格芯）與意法半導體考慮在法國政府補助下，合作興建一座半導體晶圓廠。據(jù)推測，雙方新建的晶圓廠或?qū)Ｗ⒂谄嚨刃袠I(yè)所需的芯片。

 

同時，意法在2022財年第一季度還簽署了多項合作協(xié)議，包括與德國模塊大廠賽米控簽署了一項為期4年的技術合作，共同開發(fā)針對電動汽車的eMPACK功率模塊。該模塊已被一家德國整車廠選用，合同金額在10億歐元左右。

 

意法半導體碳化硅產(chǎn)品進展順利，現(xiàn)已成為公司營收的重要組成部分。根據(jù)其發(fā)布的財報，截至2022財年第一季度，公司的碳化硅產(chǎn)品已經(jīng)在75個客戶的98個項目中送樣測試，其中工業(yè)應用和電動汽車應用各占一半。

 

意法半導體預計，2022年來自碳化硅產(chǎn)品的營收在7億美元左右，而這一數(shù)字在2024年將達到10億美元。

 

SiC晶體生長進入電阻爐時代
 

據(jù)恒普科技官方消息顯示，今年6月恒普科技推出新一代2.0版SIC電阻晶體生長爐。據(jù)悉，此次量產(chǎn)推出的爐型是基于恒普上一代6、8英寸電阻爐的全新版本，積極對應市場對SIC電阻晶體生長爐的行業(yè)需求。

 

業(yè)內(nèi)消息顯示，國內(nèi)SIC晶體生長爐大多數(shù)采用的是感應發(fā)熱的方式。

 

據(jù)悉，感應發(fā)熱晶體生長爐設備因其投資低、維護便利、熱效率高等優(yōu)點，被行業(yè)廣泛使用。隨著碳化硅8英寸時代的到來，坩堝的直徑增長，制作中原料分解、晶體面型熱應力帶來的復雜缺陷的調(diào)節(jié)等問題隨著出現(xiàn)，其性能漸漸難以契合較高的技術難點使用。

 

為了解決行業(yè)痛點，恒普科技推出了以軸徑分離為核心技術，石墨發(fā)熱的SIC晶體生長技術平臺，與新工藝組合，突破性的解決晶體長大、長快、長厚的行業(yè)核心需求。

 

新一代石墨發(fā)熱晶體生長爐，在籽晶徑向區(qū)域主動調(diào)節(jié)其區(qū)域溫度，軸向溫度通過料區(qū)熱場調(diào)節(jié)其區(qū)域溫度，從而實現(xiàn)軸徑分離。

 

晶體生長時，隨著厚度的增加，籽晶區(qū)域熱容發(fā)生變化，熱導也會發(fā)生很大的變化，這些參數(shù)的變化都會影響到籽晶區(qū)域的溫度，由于籽晶區(qū)域有徑向平面的發(fā)熱體，可以主動調(diào)節(jié)徑向平面的溫度，實現(xiàn)徑向平面的可控熱量散失。隨著原料分解，料的導熱率發(fā)生變化（注：二次傳質(zhì)的舊工藝），會在料的上部結晶，料區(qū)熱場可以根據(jù)料的狀態(tài)主動調(diào)節(jié)料區(qū)溫度。設定生長工藝時，只需直接設定籽晶區(qū)域溫度曲線，和軸向溫度梯度溫度曲線，“所見即所得”，降低了工藝耦合的難度和避免了工藝黑箱。