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中電化合物攜手浙江大學(xué)成立聯(lián)合培養(yǎng)實(shí)踐基地,聚焦碳化硅和氮化鎵材料

日期:2022-06-15 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:541
核心提示:中電化合物半導(dǎo)體有限公司和浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院成立聯(lián)合培養(yǎng)實(shí)踐基地。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,中電化合物半導(dǎo)體有限公司和浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院成立聯(lián)合培養(yǎng)實(shí)踐基地。
 
據(jù)了解,雙方聯(lián)合成立培養(yǎng)實(shí)踐基地旨在加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作,聚焦碳化硅和氮化鎵材料,培養(yǎng)兼具豐富理論知識(shí)和實(shí)踐能力的高層次材料工程人才。中電化合物以此為契機(jī),加大人才引進(jìn)力度,以創(chuàng)新為抓手,持續(xù)研發(fā)投入,打造公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。
 
中電化合物公司是由中國(guó)電子下屬的華大半導(dǎo)體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專(zhuān)業(yè)化寬禁帶半導(dǎo)體材料制造企業(yè)。2019年,中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶(hù)在寧波杭州灣新區(qū),是浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目,總投資10.5億元,規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)7萬(wàn)片6吋SiC同質(zhì)外延片生產(chǎn)線,和年產(chǎn)1萬(wàn)片GaN外延片生產(chǎn)線;包含SiC晶體生長(zhǎng)、襯底加工、外延生長(zhǎng)、材料檢測(cè)工序。

自成立以來(lái),中電化合物就聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研究、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,產(chǎn)品可廣泛用于電動(dòng)汽車(chē)、新能源、柔性電網(wǎng)、工業(yè)裝備、家用消費(fèi)電子設(shè)備等眾多領(lǐng)域。經(jīng)過(guò)3年耕耘,中電化合物已引進(jìn)全球先進(jìn)的碳化硅和氮化鎵外延片生長(zhǎng)爐和各種高端檢測(cè)設(shè)備數(shù)十套,并建成了含十級(jí)超凈車(chē)間的材料生產(chǎn)線,專(zhuān)注于碳化硅和氮化鎵材料的研究和開(kāi)發(fā),為客戶(hù)提供有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。

此外,在2021年12月,中電化合物中標(biāo)寧波市重大科技任務(wù)攻關(guān)暨揭榜掛帥項(xiàng)目,聯(lián)合寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司和中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所,共同建設(shè)“車(chē)規(guī)級(jí)MOS器件用大尺寸SiC材料研發(fā)、驗(yàn)證及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目。目前,中電化合物的碳化硅年產(chǎn)能已達(dá)2萬(wàn)片,未來(lái)3年將達(dá)到8萬(wàn)片,已向客戶(hù)提供了650V/1200V/1700V系列SiC外延片和GaN外延片等產(chǎn)品。
 
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