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華潤微:在第三代半導體器件領域取得產(chǎn)業(yè)化顯著突破

日期:2022-05-13 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:304
核心提示:5月13日,華潤微舉行2021年度暨2022年第一季度業(yè)績暨現(xiàn)金分紅說明會。
5月13日,華潤微舉行2021年度暨2022年第一季度業(yè)績暨現(xiàn)金分紅說明會。
 
公司執(zhí)行董事、總裁李虹稱,2021年公司功率器件事業(yè)群在第三代化合物半導體器件領域取得技術和產(chǎn)業(yè)化的顯著突破,自主研發(fā)的新一代SiC JBS器件產(chǎn)品在充電樁、太陽能逆變器、通信電源等工控領域獲得客戶端廣泛認可,2021年度銷售收入實現(xiàn)突破性增長。
 
與此同時,華潤微自主研發(fā)的平面型1200V SiC MOSFET進入風險量產(chǎn)階段;自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵D-mode器件樣品靜態(tài)參數(shù)達到國外對標水平,進入轉量產(chǎn)階段;自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵E-mode器件性能達標,器件封裝開發(fā)完成。
 
此外,李虹還表示,華潤微2022年IGBT業(yè)務的目標仍然是保持高速增長,預計增速將超過去年同期。  
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