3月12日，嘉興斯達半導體股份有限公司發(fā)布2021年度業(yè)績快報公告。公告指出，2021年，公司實現營業(yè)收入170,663.49萬元，較2020年同期增長77.22%，實現歸屬于上市公司股東的凈利潤 39,846.97萬元，較2020年同期增長120.54%，實現歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤37,816.31萬元，較2020年同期增長143.33%。

2021年，公司把握市場機遇，產品在下游行業(yè)持續(xù)突破，尤其是在新能源 汽車、光伏發(fā)電、風力發(fā)電、儲能等行業(yè)持續(xù)快速放量，公司營業(yè)收入實現高速 增長。同時新能源行業(yè)的收入占比較 2020 年進一步提高。2021年，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，積累產品和技術優(yōu)勢，不斷開發(fā)出具有 市場競爭力的高附加值產品，優(yōu)化產品結構，進一步提升了公司的核心競爭力。

 

報告期內，公司營業(yè)收入、營業(yè)利潤、利潤總額、歸屬于上市公司股東的凈利潤均有較大幅度的增長，增長的主要原因為公司把握市場機遇，不斷擴大業(yè)務 規(guī)模，公司經營業(yè)績實現較快增長。報告期末公司總資產、歸屬于上市公司股東的所有者權益較期初增長的主要原因為 2021年度公司非公開發(fā)行人民幣普通股（A 股）10,606,060 股，扣除發(fā)行費用（不含稅）后的募集資金凈額為 3,476,950,527.96元，使得公司總資產、歸屬于上市公司股東的所有者權益增加。

 

嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發(fā)、生產和銷售服務的國家級高新技術企業(yè)。公司主要產品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研發(fā)出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實現了進口替代。其中IGBT模塊產品超過600種，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。產品已被成功應用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發(fā)電、SVG、白色家電等領域。