3月9日晚間，聞泰科技發(fā)布公告稱，全資子公司NexperiaB.V.（“安世半導(dǎo)體”）于2021年設(shè)立了中國研究院，專注高壓功率器件、模擬IC等新產(chǎn)品研發(fā)方向。目前公司自主設(shè)計(jì)研發(fā)的絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor，以下簡稱“IGBT”）系列產(chǎn)品已流片成功，取得階段性重大進(jìn)展，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

 

聞泰科技表示，IGBT流片成功后，仍需經(jīng)過客戶驗(yàn)證，后續(xù)量產(chǎn)計(jì)劃具有不確定性。

圖片來源：聞泰科技公告截圖

 

 

公開資料顯示，聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的智能終端制造和半導(dǎo)體企業(yè)，自 2019年以來陸續(xù)收購安世半導(dǎo)體和Newport Wafer Fab(NWF)，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)涵蓋了芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、半導(dǎo)體封裝測試的產(chǎn)業(yè)鏈拓展。

 

據(jù)悉，安世半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的車規(guī)級(jí)功率廠商，其前身為恩智浦(NXP)集團(tuán)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部門，其擁有60多年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。安世半導(dǎo)體在主要的車規(guī)級(jí)功率、邏輯和模擬細(xì)分品類占據(jù)前排位置，細(xì)分到產(chǎn)品上則是在小信號(hào)二極管和晶體管、ESD 保護(hù)器件、Power MOS 汽車領(lǐng)域、邏輯器件、小信號(hào)MOSFET上占據(jù)優(yōu)勢。

 

自2021年起，聞泰在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上動(dòng)作頻頻，一方面積極擴(kuò)張規(guī)模，一方面加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)。

 

2021年7月6日，安世半導(dǎo)體完成了對英國最大的晶圓Newport Wafer Fab(NWF)的100%收購，有效提升車規(guī)級(jí)IGBT、MOSFET、Analog和化合物半導(dǎo)體等產(chǎn)品領(lǐng)域的IDM能力。同日，安世半導(dǎo)體成立獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備公司ITEC，以滿足對半導(dǎo)體設(shè)備的井噴式需求。隨后不久，便又宣布安世馬來西亞擴(kuò)產(chǎn)。

 

研發(fā)層面，安世開設(shè)新的全球研發(fā)中心并擴(kuò)大現(xiàn)有研發(fā)機(jī)構(gòu)；前端晶圓制造廠實(shí)行全新技術(shù)的投資及投產(chǎn)；后端封測加強(qiáng)先進(jìn)技術(shù)的能力。

 

規(guī)模效應(yīng)和技術(shù)支撐的作用下，這兩年安世半導(dǎo)體許多新品如 MOSFET、IGBT、PMIC 和第三代半導(dǎo)體等逐步進(jìn)入收貨期。目前，安世半導(dǎo)體正在加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，成為高效功率氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的可靠供應(yīng)商。

 

氮化鎵方面，安世半導(dǎo)體已推出系列GaNFET產(chǎn)品，產(chǎn)品通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證并應(yīng)用于新能源汽車領(lǐng)域，是全球少數(shù)可提供車規(guī)級(jí)氮化鎵器件的廠商。

 

碳化硅方面，2021年11月，安世半導(dǎo)體推出了工業(yè)級(jí)650V、10ASiC肖特基二極管，漢堡晶圓廠已部署AixtronMOCVD設(shè)備采用G5WWC生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行SiC外延批量生產(chǎn)，Newport晶圓廠也擁有SiC生產(chǎn)能力并已安裝了化合物半導(dǎo)體聯(lián)盟的SiC設(shè)備正在試產(chǎn)。