產業(yè)天時，碳化硅襯底處于國產化前夜。碳化硅電力電子器件性能顯著優(yōu)于硅基器件，可賦能新能源汽車及光伏發(fā)電領域，實現(xiàn)提效率、壓體積、減重量全方位提升。IHSMarkit預計碳化硅市場規(guī)模2027年可達100億美元，年化復合增長38.9%。碳化硅上游襯底環(huán)節(jié)工藝壁壘高、產品良率低，占器件價值量接近50%。合肥露笑半導體已具備6英寸導電型碳化硅襯底量產能力，年產能2.5萬片，2022年6月年產能有望達10萬片。

 

合肥地利，聯(lián)手地方國資布局碳化硅襯底。合肥露笑半導體坐落合肥長豐縣，公司聯(lián)手合肥地方國資，擬分三期投資合計100億元，分階段實現(xiàn)6英寸及8英寸導電型碳化硅襯底晶片及外延晶片大規(guī)模量產。合肥露笑半導體成立以來，公司已先后注資32,000萬元。公司于2021年11月24日發(fā)布非公開發(fā)行股票預案，擬募資29.4億元投入碳化硅項目。

 

技術人和，股權激勵鎖定行業(yè)專家。合肥露笑半導體首席科學家陳之戰(zhàn)教授曾長期任職于中科院上海硅酸鹽所，研究碳化硅晶體生長相關技術工藝23年，發(fā)表論文超100篇，授權專利50余項。公司員工持股計劃已授予陳之戰(zhàn)100萬股，分三期按業(yè)績考核解鎖。