2021年12月6-8日,以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)”為主題的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)聯(lián)合主辦,北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間,“IFWS& SSLCHINA 2021:材料與裝備論壇(碳化硅襯底與外延專場(chǎng))"將于12月7日舉行,廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、山西爍科晶體有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司協(xié)辦,特別邀請(qǐng)GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S.Raghavan,山東大學(xué)教授,廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理陳秀芳,山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理李斌,中國(guó)科學(xué)院物理所研究員王剛,哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院教授、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)趙麗麗,中電科十三所基礎(chǔ)研究部質(zhì)量部主管李佳等代表性先進(jìn)研究力量,分享碳化硅襯底與外延技術(shù)的最新進(jìn)展。山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛與中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所所長(zhǎng)唐景庭將共同主持本次論壇。
作為一年一度的行業(yè)盛會(huì),論壇及同期活動(dòng)將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動(dòng)向及技術(shù)趨勢(shì),為除了開(kāi)幕大會(huì)、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車(chē)用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)等超30場(chǎng)次論壇活動(dòng)。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國(guó)內(nèi)外前沿進(jìn)展;第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機(jī)遇;第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車(chē)、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與深度融合;產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中,對(duì)接資源,洽談商機(jī),共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
部分嘉賓簡(jiǎn)介:
P.S.Raghavan,GT Advanced Technologies首席技術(shù)官。Raghavan 博士在晶體生長(zhǎng)儀器、半導(dǎo)體(硅、碳化硅、III-V 和 II-VI)材料的晶體生長(zhǎng)、氧化物(Al2O3、LiNbO3)、NLO 材料、閃爍檢測(cè)材料方面擁有超過(guò) 33 年的工業(yè)和學(xué)術(shù)經(jīng)驗(yàn)以及先進(jìn)的電子和光子設(shè)備。他在開(kāi)發(fā)技術(shù)和資本設(shè)備方面擁有數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn),已成功將行業(yè)領(lǐng)先的硅、藍(lán)寶石、碳化硅和氮化鎵晶體生長(zhǎng)爐商業(yè)化,用于太陽(yáng)能、LED、消費(fèi)電子和電力電子制造行業(yè)。
在2002年加入GT之前,他參與晶體生長(zhǎng)研究,并擔(dān)任臺(tái)灣新竹NTHU電機(jī)工程系客座教授、安娜大學(xué)晶體生長(zhǎng)中心助理教授和阿拉加帕大學(xué)Reader和 Head Instrumentation,印度。Raghavan博士擁有物理學(xué)碩士學(xué)位、物理學(xué)哲學(xué)碩士學(xué)位和物理學(xué)博士學(xué)位。在III-V族化合物的晶體生長(zhǎng)中。他曾在全球國(guó)際知名實(shí)驗(yàn)室擔(dān)任博士后研究員,在國(guó)際期刊上發(fā)表了60篇研究論文,擁有8項(xiàng)專利。
陳秀芳,山東大學(xué)教授,主要從事寬帶隙碳化硅等半導(dǎo)體材料、石墨烯二維材料及相關(guān)器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領(lǐng)域中,取得一系列重要應(yīng)用型科研成果,先后主持承擔(dān)了重大專項(xiàng)、973計(jì)劃、預(yù)研項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、科技部“863”計(jì)劃、山東省自主創(chuàng)新重大專項(xiàng)等20余項(xiàng)國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目。在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇,申請(qǐng)和獲得授權(quán)發(fā)明專利20余項(xiàng)。獲得2013年度“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)”。
李斌 山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理
王剛 中國(guó)科學(xué)院物理所研究員,2009年1月加入中國(guó)科學(xué)院物理研究所,2016年7月-2017年7月在美國(guó)埃姆斯實(shí)驗(yàn)室訪問(wèn),現(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員、博士生導(dǎo)師。國(guó)家優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者,榮獲盧嘉錫青年人才獎(jiǎng)和中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)青年科技獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)。無(wú)機(jī)電磁功能材料探索、晶體生長(zhǎng)與物性
趙麗麗 哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院教授, 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)
最新日程如下:
F3-材料與裝備論壇(碳化硅襯底與外延)
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時(shí)間:2021年12月7日
地點(diǎn):深圳會(huì)展中心• 五層玫瑰廳3
Time: Dec 7th,2021 Afternoon
Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5th Rose Hall 3
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屏幕尺寸 / Slides Size:
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主持人
Moderator
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徐現(xiàn)剛-山東大學(xué)教授
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9:00-9:25
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用于電力電子的 150 毫米和 200 毫米直徑高產(chǎn) 4H 碳化硅的缺陷表征和晶體生長(zhǎng)Defect characterization and crystal growth of 150 mm and 200 mm diameter high yielding 4H SiC for power electronic applications
P.S.Raghavan--GT Advanced Technologies首席技術(shù)官
P.S.Raghavan--CTO of GT Advanced Technologies
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9:25-9:45
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SiC單晶材料生長(zhǎng)及缺陷控制機(jī)制SiC single crystal material growth and defect control mechanism
陳秀芳--山東大學(xué)教授,廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理
CHEN Xiufang—Professor of Shandong University, Deputy General Manager of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.
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9:45-10:05
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化合物半導(dǎo)體材料發(fā)展展望Prospects for the development of compound semiconductor materials
李斌--山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理、中電科半導(dǎo)體材料有限公司副總經(jīng)理
Li Bin--General Manager of Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., Deputy General Manager of CEC Semiconductor Materials Co., Ltd.
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10:05-10:25
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碳化硅單晶襯底與外延進(jìn)展及產(chǎn)業(yè)化Progress and industrialization of silicon carbide substrate and epitaxy
王剛 中國(guó)科學(xué)院物理所研究員
Wang Gang Professor,Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
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10:25-10:40
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茶歇/Coffee break
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10:40-11:00
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低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究Research on Industrialization Technology of Low-cost Silicon Carbide Single Crystal Materials
趙麗麗 哈爾濱工業(yè)大學(xué)化工與化學(xué)學(xué)院教授, 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)
Zhao Lili Professor, School of Chemical Engineering and Chemistry, Harbin Institute of Technology
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11:00-11:20
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SiC同質(zhì)外延缺陷研究Research on SiC Homoepitaxial Defects
李 佳 中電科十三所基礎(chǔ)研究部質(zhì)量部主管
Li Jia Head of Quality Department, Basic Research Department, 13th Research Institute of CLP
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Panel Discussion:
對(duì)話議題(擬定)
1 六英寸半絕緣型碳化硅襯底可靠性問(wèn)題,量產(chǎn)時(shí)間
2 功率器件導(dǎo)電型襯底國(guó)產(chǎn)化的挑戰(zhàn)及市場(chǎng)機(jī)會(huì)
3 襯底研磨拋及清洗設(shè)備對(duì)碳化硅襯底成本的影響及需求
4,外延設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的時(shí)間
5,單晶爐品牌化的可能性
主持人: 于坤山- 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)
對(duì)話嘉賓(擬定):
王垚浩——廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)
李 斌——山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理
趙麗麗——哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng)
鞏小亮——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任
張永熙——上海瞻芯電子科技有限公司董事長(zhǎng)
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)教授
王 剛—— 中國(guó)科學(xué)院物理所研究員
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備注:日程或有微調(diào),皆以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
附件:論壇資料
第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì),是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨,全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過(guò)去的六年時(shí)間里,IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài),已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨,全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料,技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái),致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng),以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。在過(guò)去的十七年里,SSLCHINA邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專家陣容,呈現(xiàn)了超過(guò)1800個(gè)專業(yè)報(bào)告,累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球70多個(gè)國(guó)家逾26500人次。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇與中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇同時(shí)同地舉辦,同臺(tái)匯力,相映生輝,放眼LED+和先進(jìn)電子材料更廣闊的未來(lái)。
論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書(shū)館發(fā)表,IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。目前,論壇同期論文已開(kāi)啟征集,論壇長(zhǎng)期與IEEE合作。投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書(shū)館發(fā)表,IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。
2021先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS 2021)也同時(shí)招展中,歡迎業(yè)界人士的參與其中,對(duì)接資源,洽談商機(jī),共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
據(jù)了解,目前論壇組織工作正有序開(kāi)展中,以下為會(huì)議最新信息:
論壇信息
會(huì)議時(shí)間:2021年12月6-8日
會(huì)議地點(diǎn):深圳會(huì)展中心(福田區(qū))
會(huì)議住宿:深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題:創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來(lái)
主辦單位
國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)
論文重要期限及提交方式
口頭報(bào)告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日:2021年11月28日
備注:目前已經(jīng)進(jìn)入專家審稿程序,在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿,歡迎大家直接投全文!
IFWS & SSLCHINA 2021會(huì)議日程

備注:總體日程概覽或有微調(diào),以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。
注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表

備注:
*國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
*學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
*會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
*若由于某些原因,您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì),可辦理退款事宜,組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的40%作為退款手續(xù)費(fèi)。
*SSL相關(guān)會(huì)議包含:開(kāi)幕大會(huì)、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車(chē)用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會(huì)、閉幕儀式。
*IFWS相關(guān)會(huì)議包含:開(kāi)幕大會(huì)、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車(chē)用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、閉幕儀式。
*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包含:車(chē)用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇,以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元(包括照明設(shè)計(jì)與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車(chē)照明與車(chē)用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會(huì)議單元)。
*餐飲包含:12月6日午餐、6日歡迎晚宴(大中華希爾頓酒店)、7日午餐+晚餐。
報(bào)名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前,完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票(詳見(jiàn)上圖),國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
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1.論文咨詢
白女士
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2.參會(huì)參展/贊助咨詢
賈先生
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