半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：10月27日，第四屆中國·如皋第三代半導(dǎo)體晶體及裝備論壇開幕。本屆論壇以“新機(jī)遇、芯發(fā)展”為主題，積極探索第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路及發(fā)展模式，重點(diǎn)探討國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈短板環(huán)節(jié)——晶體材料及裝備的發(fā)展現(xiàn)狀、存在的掣肘及解決方案，分析第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，共議特色發(fā)展路徑，搭建合作交流平臺，吸引更多的優(yōu)質(zhì)企業(yè)及資源入駐如皋，推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展。
會議現(xiàn)場
開幕式上，“如皋·創(chuàng)源上?？苿?chuàng)孵化基地”“如皋高新區(qū)科技企業(yè)孵化器”“如皋高新區(qū)眾創(chuàng)空間”等科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)載體揭牌，12個產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目及科技人才項(xiàng)目現(xiàn)場簽約。
如皋市委書記何益軍介紹當(dāng)?shù)禺a(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
如皋市委書記何益軍介紹，近年來，如皋緊扣“長三角最具資源和成本優(yōu)勢的中高端產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)”，重點(diǎn)發(fā)展汽車及零部件、新型電力裝備、高端成套設(shè)備及關(guān)鍵零部件、生命健康、電子信息及新材料等六大優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)，把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為全市重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，出臺產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)施意見予以支持，重點(diǎn)引進(jìn)上下游企業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)落戶，初步構(gòu)建了覆蓋半導(dǎo)體材料、設(shè)備、制造、封裝測試、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈條。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲，中國工程院院士、半導(dǎo)體光電子學(xué)家陳良惠分別通過視頻致辭。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲
吳玲理事長指出，第三代半導(dǎo)體在支撐國家能源革命，助力“雙碳”戰(zhàn)略；支撐高速列車、新能源汽車等核心動力系統(tǒng)的升級換代；支撐高頻、高速、寬帶通信系統(tǒng)核心器件的自主可控；支撐光電應(yīng)用產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展等方面都具有關(guān)鍵性作用。如皋在發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面，已經(jīng)打下較好的基礎(chǔ)。希望能找準(zhǔn)定位，特別是在裝備領(lǐng)域，在許多關(guān)鍵零部件和材料還在依賴進(jìn)口的情況下，能盡快實(shí)現(xiàn)新的突破。
中國工程院院士、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員陳良惠
陳良惠院士指出，科技創(chuàng)新已經(jīng)成為國際戰(zhàn)略博弈的主戰(zhàn)場，第三代半導(dǎo)體在國防和國民經(jīng)濟(jì)建設(shè)中的重要性日益凸現(xiàn)。中國在第三代半導(dǎo)體方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的市場潛力，在助力和培育技術(shù)進(jìn)步方面具有無可比擬的優(yōu)勢。但也要看到，相比于世界發(fā)達(dá)國家，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還有不少的差距，要靠更多的科研技術(shù)人員持續(xù)攻關(guān)和奮力超越。如皋要發(fā)揮好特色優(yōu)勢，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出自己獨(dú)特的貢獻(xiàn)。
項(xiàng)目簽約
揭牌儀式
當(dāng)天論壇上，“如皋·創(chuàng)源上?？苿?chuàng)孵化基地”“如皋高新區(qū)科技企業(yè)孵化器”“如皋高新區(qū)眾創(chuàng)空間”等科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)載體揭牌，精密激光設(shè)備、電子元器件研發(fā)等12個產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目及科技人才項(xiàng)目簽約落戶如皋高新區(qū)。
大會報(bào)告
會上，還有六名行業(yè)專家分別圍繞氮化鎵晶體技術(shù)進(jìn)展及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展、高功率IGBT模塊的國產(chǎn)化路線、第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備進(jìn)展情況、碳化硅晶體技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展情況等議題進(jìn)行主旨演講。圍繞第三代半導(dǎo)體發(fā)展的突破口及創(chuàng)新模式，專家學(xué)者代表現(xiàn)場開展了熱烈討論。
【熱門活動】
第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議將定于11月7-10日在廈門召開
近年來，寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一，國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn)，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。為推動我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，加強(qiáng)各界交流與協(xié)同創(chuàng)新，第四屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議定于2021年11月7-10日在福建廈門舉辦，由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦，廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合承辦。
屆時，來自國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研人員、企業(yè)代表等，將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛探討，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的深度交流與合作。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用?！贰贰?a >點(diǎn)擊了解詳情
