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三星宣布量產(chǎn)14納米EUV DDR5 DRAM

日期：2021-10-12 閱讀：308

核心提示：三星電子宣布開始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術的14納米（nm）DRAM。繼2020年3月推出首款EUV DRAM后，三星電子又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供更為優(yōu)質、先進的DRAM工藝。

三星電子宣布開始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術的14納米（nm）DRAM。繼2020年3月推出首款EUV DRAM后，三星電子又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供更為優(yōu)質、先進的DRAM工藝。

圖片來源：三星電子官網(wǎng)截圖

據(jù)介紹，三星電子5層EUV工藝14納米DRAM具有業(yè)界最高的晶圓密度，與上一代相比，整體晶圓生產(chǎn)率提高了約20%。此外，三星電子14納米DRAM產(chǎn)品的功耗相比上一代DRAM工藝降低了約20%。

圖片來源：三星電子官網(wǎng)

三星計劃擴展其14納米DDR5產(chǎn)品組合，以支持數(shù)據(jù)中心、超級計算機和企業(yè)服務器應用。另外，三星預計將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統(tǒng)快速增長的數(shù)據(jù)需求。

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