據(jù)徐州日報報道，近日，燦科半導體功率器件項目將增加一條氮化鎵共封裝器件生產線，項目建成量產后，可年產氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片，年產值可達到12億元。

 

據(jù)悉，燦科半導體功率器件項目，總投資5.5億元，由廣東致能投資建設，于2020年11月簽約落地，今年1月開工建設，3月潔凈廠房建成并投入使用，今年6月其氮化鎵生產線投產。

 

建成投產后，項目一期預計年產值實現(xiàn)5.4億元，二期實現(xiàn)18億元。

 

致能半導體董事長黎子蘭表示，新上線的這條氮化鎵共封裝器件生產線，可以把氮化鎵功率芯片與硅驅動芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導致的延時較長、寄生電感較大、干擾嚴重等問題，發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢，也能助推企業(yè)在電子信息產業(yè)依靠科技創(chuàng)新?lián)屨际袌鲂滤{海。