氮化鎵被譽為最新一代的半導體材料，發(fā)展和應用的潛力巨大。氮化鎵比硅禁帶寬度大3倍，擊穿場強高10倍，飽和電子遷移速度大3倍，熱導率高2倍。這些性能提升帶來的一些優(yōu)勢就是氮化鎵比硅更適合做大功率高頻的功率器件，同時體積還更小，功率密度還更大。

 

近日，2021功率半導體與車用LED技術創(chuàng)新應用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導體產業(yè)網和勵展博覽集團共同主辦，并得到第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟的指導。

會上，蘇州晶湛半導體科技有限公司的市場經理陳宇超帶來了“應用于功率器件的硅基GaN外延片進展”的主題報告，結合具體的數據分享了650V應用的D模和E模硅基GaN外延片的進展，并介紹了面向更高電壓/電流應用的多通道器件研究進展。

 

GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，器件具有給定電壓額定值下的低通狀態(tài)電阻、緊湊型高壓裝置、快速高效切換、低功耗、高工作溫度等優(yōu)勢。

隨著寬禁帶器件在電動車市場的機會大增，GaN在EV領域有新契機，具有解決整個高壓汽車頻譜的潛力。

GaN在高壓應用中相比SiC、IGBT、SiSJ在效率、開關頻率等維度具有自己的優(yōu)勢。

 

蘇州晶湛半導體是我國最早的氮化鎵(GaN)外延材料研發(fā)和產業(yè)化企業(yè)，在2014年實現了8英寸硅基氮化鎵外延片產品的商業(yè)化，填補了國內乃至世界氮化鎵產業(yè)的空白。目前蘇州晶湛已經掌握了多項氮化鎵外延片核心技術。累計申請了百余項專利。

 

報告中，結合具體的數據，陳宇超詳細分享了晶湛半導體的高壓、大電流路線圖，以及硅上1300伏常關p-GaN柵HEMTs，硅側SBD上的3.4kV GaN等內容。