近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由華燦光電股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED新型顯示技術”分會上，南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌做了題為“具有GaN隧道結的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備”主題報告，分享了最新成果。
為增強空穴的注入效率，研究利用PA-MBE等離子體輔助分子束外延技術在C面綠光LEDs外延片上外延出GaN隧道結。該隧道結是由MBE生長的n++-GaN層和MOCVD生長的LEDs頂層p+-GaN層構成，這有利于實現(xiàn)陡峭的摻雜界面和超薄的耗盡區(qū)寬度，從而實現(xiàn)高效的帶間隧穿。
研究將利用該方法制備出來的TJ-LED外延片制備成不同直徑的微型LEDs器件。與傳統(tǒng)結構微型LEDs器件相比，在I-V測試中，TJ結微型LEDs表現(xiàn)出更小的器件電阻。
此外，隧道結微型LEDs的相對EQE測試結果表明其具有更低的閾值電流密度，并且增強的EL強度和相對EQE值（在32 A/cm2的注入電流密度下增強了約41.5%）都表明隧道結的引入降低了綠光LED的droop效應，增加了器件的發(fā)光效率。在對不同直徑的隧道結微型LEDs器件進行J-V測試研究表明LEDs頂部的n++/n+-GaN外延層可有效的實現(xiàn)載流子的注入。
劉斌長期開展III族氮化物半導體材料和微納光電子器件研究，并兼任重點實驗室/工程中心副主任，曾在英國謝菲爾德大學III-V族半導體國家實驗室從事博士后研究，在中國香港中文大學、瑞典皇家工學院(KTH)等訪問研究；主持國家重點研發(fā)計劃與國家自然科學基金項目/課題10余項，目前已發(fā)表SCI學術論文180篇，申請/授權發(fā)明專利50余項，獲國家自然科學基金委優(yōu)秀青年基金，入選教育部青年長江學者。
（內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
