三、材料
半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程
Si：主要應(yīng)用于集成電路的晶圓片和功率器件;
GaAs：主要應(yīng)用于大功率發(fā)光電子器件和射頻器件;
GaN：主要應(yīng)用于光電器件和微波通信器件;
SiC：主要應(yīng)用于功率器件。
▲各代代表性材料主要應(yīng)用
▲第二、三代半導(dǎo)體材料技術(shù)成熟度
細(xì)分領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)彎道超車，核心領(lǐng)域仍未實(shí)現(xiàn)突破，半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料兩大塊。晶圓制造材料中，硅片機(jī)硅基材料最高占比31%，其次依次為光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板占比最高，為40%，其次依次為引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。
日美德在全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)上占主導(dǎo)地位。各細(xì)分領(lǐng)域主要玩家有：硅片——Shin-Etsu、Sumco，光刻膠——TOK、Shipley，電子氣體——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引線架構(gòu)——住友金屬，鍵合線——田中貴金屬、封裝基板——松下電工，塑封料——住友電木。
?。?）靶材、封裝基板、CMP 等，我國(guó)技術(shù)已經(jīng)比肩國(guó)際先進(jìn)水平的、實(shí)現(xiàn)大批量供貨、可以立刻實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。已經(jīng)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化的半導(dǎo)體材料典例——靶材。
（2）硅片、電子氣體、掩模板等，技術(shù)比肩國(guó)際、但仍未大批量供貨的產(chǎn)品。
（3）光刻膠，技術(shù)仍未實(shí)現(xiàn)突破，仍需要較長(zhǎng)時(shí)間實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。
