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SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

珠海雷特張哲綱博士：創(chuàng)新與升級，向前一步，保持核心競爭力

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東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司為中國國內(nèi)首家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵（GaN）襯底材料的企業(yè)。公司經(jīng)營范圍包括設(shè)計、研發(fā)及產(chǎn)銷：半導(dǎo)體材料、器件、生產(chǎn)設(shè)備等。其創(chuàng)造性地采用MOCVD技術(shù)、激光剝離技術(shù)、HVPE技術(shù)相結(jié)合的方法，研發(fā)、生產(chǎn)產(chǎn)品包括：GaN半導(dǎo)體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/Al2O3復(fù)合襯底，圖形化藍寶石襯底（PSS）；生產(chǎn)上述產(chǎn)品的設(shè)備，如激光剝離設(shè)備等。并對相應(yīng)技術(shù)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，使企業(yè)在國內(nèi)國際競爭中處于一個優(yōu)勢位置。