東莞市中鎵半導體科技有限公司為中國國內首家專業(yè)生產氮化鎵（GaN）襯底材料的企業(yè)。公司經營范圍包括設計、研發(fā)及產銷：半導體材料、器件、生產設備等。其創(chuàng)造性地采用MOCVD技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法，研發(fā)、生產產品包括：GaN半導體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/Al2O3復合襯底，圖形化藍寶石襯底（PSS）；生產上述產品的設備，如激光剝離設備等。并對相應技術擁有自主知識產權，使企業(yè)在國內國際競爭中處于一個優(yōu)勢位置。