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視頻簡介：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù) In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術(shù)制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內(nèi)容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

北京工業(yè)大學郭偉玲教授介紹了《高壓LED和微顯示芯片設計及制備技術(shù)》研究報告。

西安交通大學教授王宏興做了關于微機電系統(tǒng)單晶金剛石微結(jié)構(gòu)制備的報告。