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《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司

《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長(zhǎng)與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)

《等離子體密度對(duì)ICP-MOCVD生長(zhǎng)GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)

《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長(zhǎng)與研究》作者：趙見(jiàn)國(guó)，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴(yán)羽，張

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院