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徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
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徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
《碳化硅單晶襯底的研究進展及發(fā)展趨勢》徐現(xiàn)剛教授山東大學
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limit2022-01-11 17:24
徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科研究員中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
蔣科：寬禁帶氮化物半
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蔣科：寬禁帶氮化物半
《寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
朱海：寬禁帶半導體微
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朱海：寬禁帶半導體微
《寬禁帶半導體微腔polariton玻色-愛因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學
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limit2022-01-10 10:21
陸文強：一維ZnGa2O4
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陸文強：一維ZnGa2O4
《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強單位：中國科學院重慶綠色智能技術研究院
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limit2022-01-07 15:02
張文輝：升華法生長β
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張文輝：升華法生長β
《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學微電子學院
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limit2022-01-07 15:00
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室，南京大學電子科學與工程學院，廈門大學
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limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
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穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學晶體材料國家重點實驗室
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limit2022-01-07 14:58
湯瀟：全溶液法沉積柔
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湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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limit2022-01-07 14:57
張逸韻：高溫氣氛退火
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張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對體材料單晶氧化鎵晶體質量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學，中國科學院半導體研究所
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limit2022-01-07 14:21
唐寧：氮化鎵量子阱中
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唐寧：氮化鎵量子阱中
《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張云帆，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室
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limit2022-01-07 14:16
徐童齡：基于NiO/β-
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徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質pn結的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學電子與信息工程學院光電材料與技術國家重點實驗室
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limit2022-01-07 13:50
張亞民：基于脈沖信號
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張亞民：基于脈沖信號
《基于脈沖信號導通延遲的SiC MOSFET結溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學
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limit2022-01-07 13:49
劉紅輝：光照下AlGaN/
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劉紅輝：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN異質結溝道中載流子的輸運過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風格，任遠，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚，張佰君單位：中山大學電子與信息工程學院
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limit2022-01-07 13:47
陳鵬：GaN基肖特基功
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陳鵬：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新進展》作者：陳鵬單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 13:31
吳帆正樹：碳化硅溝槽
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吳帆正樹：碳化硅溝槽
《碳化硅溝槽刻蝕技術研究進展》作者：吳帆正樹，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍，張園覽單位：復旦大學工程與應用技術研究院超越照明研究所
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limit2022-01-07 13:30
葉建東：氧化鎵基雙極
3790
葉建東：氧化鎵基雙極
《氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
37900
limit2022-01-07 11:41
李忠輝：新型Al(Ga)N/
2130
李忠輝：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN異質結外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國家級重點實驗室
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limit2022-01-07 11:15
李天義：SiC紫外單光
1710
李天義：SiC紫外單光
《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院
17100
limit2022-01-07 10:26
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
3590
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學電子科學與技術學院（國家示范性微電子學院）微電子與集成電路系，廈門大學物理科學與技術學院物理系
35900
limit2022-01-07 10:23