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羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車型

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

納微推出TOLL封裝版第三代快速碳化硅MOSFETs，專為AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車等大功率場景打造

CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

華潤微：目前產(chǎn)能利用率滿載，已對部分MOSFET、IGBT等產(chǎn)品加價

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

揚(yáng)杰科技申請降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

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銀河微電申請SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設(shè)計方法專利，設(shè)計效率高

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)

納微發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs，促進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心功率提升，加快電動汽車充電速度

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |重慶大學(xué)蔣華平：碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？

芯聯(lián)集成：2024年公司還將計劃建成國內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET試驗(yàn)線

廣電計量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

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