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功率半導(dǎo)體：新能源需求引領(lǐng)，行業(yè)快速發(fā)展

國星光電：公司Micro LED芯片實(shí)現(xiàn)小批量供貨已開展GaN功率器件研發(fā)工作

IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在硅襯底GaN基縱向功率器件方面取得新進(jìn)展

聞泰科技：安世半導(dǎo)體推出領(lǐng)先性能的氮化鎵功率器件 (GaN FET)

GaN快充將于2025年占領(lǐng)一半市場(chǎng)

晶湛半導(dǎo)體8寸GaN項(xiàng)目開建

第三代半導(dǎo)體為什么這樣火？4 張圖秒懂GaN、SiC 關(guān)鍵技術(shù)

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)成功突破柔性高性能GaN半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)

預(yù)估2025年GaN于快充市場(chǎng)滲透率將達(dá)到52％

千呼萬喚始出來的蘋果GaN快充，拉開下一個(gè)GaN爆點(diǎn)的序幕

華微電子：公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)

蘋果上架首款GaN充電器，售價(jià)729元

英諾賽科鄒艷波：All-GaN系列方案在快充領(lǐng)域的應(yīng)用

【CASICON 2021】蘇州能訊高能半導(dǎo)體Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射頻GaN晶體管模型、趨勢(shì)和挑戰(zhàn)

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】蘇州晶湛半導(dǎo)體向鵬：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-HEMT單片集成技術(shù)

【CASICON 2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學(xué)陳鵬：低開啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進(jìn)展

【CASICON 2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)

聞泰科技：加強(qiáng)在中高壓Mosfet、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：超過SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】中國電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

GaN功率器件未來5-6年的發(fā)展趨勢(shì)

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