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2025云南晶體大會前瞻|浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心韓學峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究

特凱斯碳化硅原材料及碳化硅襯底項目簽約浙江仙居

總投資6.7億元！浙江安諾半導體封測中心項目正式投產(chǎn)

年產(chǎn)120萬只！浙江萃錦半導體器件項目在慈溪高新區(qū)正式開工

瞻芯電子浙江義烏晶圓廠(Yfab)第二期擴建潔凈間啟用和新設備搬入

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浙江大學團隊Nat.Commun.：量子點LED大突破！亮度翻倍，光效超國標，2035年照明技術(shù)提前實現(xiàn)！

浙江大學團隊多項碳化硅、氧化鎵相關研究成果閃耀IEEE ISPSD 2025

浙江大學電氣工程學院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應用技術(shù)革新

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浙江12英寸CMOS二期項目建設迎新進展

CSPSD 2025前瞻|浙江大學王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術(shù)

鎵仁半導體獲批浙江省博士后工作站

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中南大學何軍、鐘綿增，浙江大學李京波：通過調(diào)控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

浙江一半導體項目，首臺光刻機成功搬入

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總投資21億元！迪吉芯半導體封裝落地浙江

浙江大學任娜：基于P型碳化硅襯底材料的結(jié)勢壘肖特基二極管|CASICON重慶站

浙江出臺46項政策推動經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展，集成電路被劃重點

浙江大學柯徐剛研究員團隊發(fā)布應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導體氮化鎵高效率智能供電芯片

杭華股份擬收購浙江迪克60%股權(quán) 強化顯示光刻膠領域布局

前瞻|浙江大學任娜將出席“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”并做報告

總投資310億元浙江省特別重大產(chǎn)業(yè)項目，浙江星柯光電二期項目開工

浙江光電激光核心材料及設備零部件制造項目（一期）部分廠房結(jié)頂

總投資13億元，百立新半導體6英寸MEMS晶圓制造線項目落地浙江

計劃總投資310億元，浙江星柯光電項目一期點火二期簽約

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

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