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鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

日本FOX公司計(jì)劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長(zhǎng)晶設(shè)備

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開工

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

總投資8.97億！雅克科技擬建設(shè)球形硅微粉、球形氧化鋁項(xiàng)目

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

CASICON晶體大會(huì)前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

西安交大劉明教授團(tuán)隊(duì)在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進(jìn)展

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破

廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測(cè)應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)

6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計(jì)劃實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬(wàn)片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

第四代半導(dǎo)體迎來(lái)新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

山東大學(xué)徐明升：SiC的高溫氧化研究

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

IFWS 2023│臺(tái)灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測(cè)器的開發(fā)

SSLCHINA2023│河北工業(yè)大學(xué)徐庶：量子點(diǎn)氧化物復(fù)合材料的制備及LED應(yīng)用

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的低溫制備技術(shù)

國(guó)際上首次！基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)已報(bào)道的最高截止頻率氧化鎵射頻器件

一顆碳化硅芯片，可節(jié)省一噸二氧化碳當(dāng)量！

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

廈門大學(xué)張洪良和上海光機(jī)所齊紅基團(tuán)隊(duì)在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)：氧化鎵功率器件研究成果

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