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2025云南晶體大會(huì)前瞻|浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

總投資20億元悉智科技寬禁帶功率模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約杭州

杭州誕生首臺(tái)國(guó)產(chǎn)商業(yè)化電子束光刻機(jī)“羲之”

1600萬(wàn)臺(tái)電機(jī)！杭州投資11億的電機(jī)項(xiàng)目喜迎開(kāi)業(yè)！

總投資10億元，杭州芯光半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試產(chǎn)線項(xiàng)目簽約富陽(yáng)

20億！兩大集成電路項(xiàng)目簽約杭州

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問(wèn)世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見(jiàn)證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

“杭州六小龍”是哪六家公司？何以“六小龍”何以杭州？

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開(kāi)啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時(shí)代

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長(zhǎng)

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

20億！科友半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目簽約杭州

派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司完成數(shù)億元融資

杭州睿昇集成電路核心零部件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工? 年產(chǎn)15萬(wàn)片

邁姆思與杭州鎵仁簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議

中順通利半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約杭州余杭總投資50億元

中科智芯晶圓級(jí)先進(jìn)封裝項(xiàng)目簽約杭州蕭山計(jì)劃投資17.5億元

富樂(lè)德：擬收購(gòu)關(guān)聯(lián)方杭州之芯半導(dǎo)體公司100%股權(quán)

“五一”假期記者走進(jìn)杭州大科創(chuàng)平臺(tái) “生態(tài)圈”里研發(fā)忙

譜析光晶年產(chǎn)10萬(wàn)臺(tái)第三代半導(dǎo)體芯片與系統(tǒng)生產(chǎn)基地簽約杭州蕭山

立昂微：杭州基地的射頻芯片產(chǎn)能為9萬(wàn)片/年 2024年預(yù)計(jì)產(chǎn)能利用率有望達(dá)到80%以上

杭州寶鼎乾芯6英寸半導(dǎo)體項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)全部完成

正齊半導(dǎo)體高階功率模塊項(xiàng)目落地杭州蕭山總投資10億

杭州道銘微集成電路及功率器件系統(tǒng)集成封裝新建一期廠房開(kāi)工

杭州芯海半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試基地奠基

杭州富芯12英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目(一期)即將交付使用

西電杭州研究院與晶華微共建的模擬信號(hào)鏈集成電路聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌

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