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2025云南晶體大會(huì)前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體所張韻：鎵體系半導(dǎo)體材料與集成電路發(fā)展展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)楊杰：III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會(huì)前瞻|鑫耀半導(dǎo)體韋華：VGF法磷化銦熱場(chǎng)優(yōu)化控制對(duì)單晶缺陷形成的影響

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|天科合達(dá)劉春?。捍蟪叽缣蓟枰r底和外延產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)寧靜：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南臨滄鑫圓鍺業(yè)包世濤：中國鍺產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與高質(zhì)量發(fā)展路徑展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)史衍麗：1550nm InP/InGaAs 單光子探測(cè)器

2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|連科半導(dǎo)體胡動(dòng)力：8/12吋碳化硅長(zhǎng)晶爐技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展方向

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)研究

CASICON晶體大會(huì)平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)平行論壇3：砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術(shù)

CASICON晶體大會(huì)平行論壇4：金剛石和半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)最新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)平行論壇1：聚焦碳化硅晶體技術(shù)及其應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻|英谷激光肖旭輝：激光助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新

CASICON晶體大會(huì)前瞻|砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術(shù)分論壇日程出爐

CASICON晶體大會(huì)前瞻|澈芯科技誠邀您同聚“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國科學(xué)院大連化學(xué)物理所李剛：高質(zhì)強(qiáng)光光學(xué)元件制造與薄片激光技術(shù)

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國工程物理研究院高松：半導(dǎo)體泵浦重頻激光模塊及激光技術(shù)進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測(cè)設(shè)備國產(chǎn)化

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