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國家重點研發(fā)計劃“
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氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)”項目啟動暨實施方案論證會召開
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2025-07-07 16:02
刷新紀(jì)錄!鄭州大學(xué)實現(xiàn)
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高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長
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2025-06-06 09:24
鎵特半導(dǎo)體取得一種HVPE
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氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利,能夠提升氮化鎵晶圓片生長尺寸
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2025-03-31 10:38
日企研發(fā)出全球最
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金剛石基板
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2025-03-31 10:09
天通銀廈康森:
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藍(lán)寶石晶圓技術(shù)發(fā)展及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用?|CASICON重慶站
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2025-03-06 15:47
鎵仁半導(dǎo)體董事長張輝:
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高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進展 | CASICON重慶站
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2025-03-04 16:48
江蘇集芯申請
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碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利,保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致
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2024-10-21 10:06
國內(nèi)首臺超
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鈣鈦礦高速激光刻蝕成套設(shè)備發(fā)布
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2024-08-15 17:55
CASICON晶體大會前瞻|北京中電科電子裝備劉國敬:先進Grinding設(shè)備及工藝助力
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SiC量產(chǎn)
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2024-06-13 15:26
南京大學(xué)成功研發(fā)出
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碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)
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2024-05-07 14:10
南京大學(xué)成功研發(fā)出
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碳化硅激光切片設(shè)備與技術(shù)
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2024-04-30 10:06
云和縣
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碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目意向合作協(xié)議簽約儀式舉行
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2024-03-20 15:27
百識電子完成A+輪融資,加速耐高壓、
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第三代半導(dǎo)體外延布局
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2024-03-11 16:25
北京大學(xué)申請
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高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利,提高整個異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率
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2024-03-06 10:13
北京大學(xué)教授于彤軍:
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AlN單晶生長研究
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2023-12-27 13:55
IFWS 2023│南砂晶圓/山東大學(xué)楊祥龍:
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SiC單晶的研究進展
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2023-12-18 11:52
山東大學(xué)陶緒堂教授團隊研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本
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單晶閃爍體
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2023-08-25 13:56
中國電科46所霍曉青:面向氧化鎵功率器件的
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氧化鎵單晶材料技術(shù)
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2023-08-01 15:55
西安華合德新材料李灝文:面向低成本碳化硅功率器件用
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SiC 單晶技術(shù)
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2023-08-01 11:27
盛鑫半導(dǎo)體:
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硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目實現(xiàn)首批設(shè)備入場
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2023-06-19 11:54
【CASICON 2023】特思迪半導(dǎo)體孫占帥:先進拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型
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碳化硅制造
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2023-05-08 11:36
中科潞安閆建昌:高性能、
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是深紫外LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢
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2023-03-24 15:51
山東大學(xué)教授陳秀芳:
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4H-SiC單晶擴徑及襯底制備
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2023-03-03 16:28
華清電子材料實現(xiàn)了超
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高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破
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2022-10-24 10:08
浙江麗水中欣晶圓項目獲11億元融資,推動
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半導(dǎo)體硅片國產(chǎn)化
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2022-06-23 14:11
揚杰科技收購楚微半導(dǎo)體40%股權(quán),目的在于完善
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新品產(chǎn)能
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2022-06-21 11:52
南京盛鑫
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硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項目開工 ,一期投資13.6億元
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2022-05-05 15:00
天通股份:擬募資不超25億元,發(fā)展
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射頻壓電晶圓項目等
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2022-03-07 17:06
上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備
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/復(fù)雜形狀高純氧化鋁部件方面取得新進展
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2022-02-15 14:27
北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍:
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AlN單晶的同質(zhì)PVT生長研究
評論 ?
2021-12-23 16:46
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