在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。8英寸襯底相比6英寸可以提升1.9倍的工作芯片，邊緣浪費降低7％，在降低器件成本、增加產(chǎn)能供應方面擁有巨大的潛力。為搶占先機，國內(nèi)外SiC襯底廠商都在加速推進8英寸襯底的研發(fā)。我國作為全球最大的SiC器件應用市場，需要加緊研究8英寸SiC襯底技術，以搶占市場，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”上，山東大學副教授/南砂晶圓技術總監(jiān)楊祥龍大尺寸SiC單晶的研究進展，報告主要介紹山東大學/廣州南砂晶圓半導體技術有限公司近期8英寸SiC單晶襯底的研究進展。
一代材料，一代芯片。碳化硅材料可以滿足軍、民應用對電力電子系統(tǒng)的要求，包括高功率、高溫、高頻、高集成度、高效率、高抗輻射等。碳化硅器件是未來電動汽車的“心臟。SiC MOSFET與Si基IGBT相比可以減少整車重量，降低成本；降低損耗，提升續(xù)航能力。在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期。預計2027年全球電動汽車碳化硅市場空間約50億美元。
上游襯底材料是SiC產(chǎn)業(yè)的基礎原材料，將持續(xù)強勁增長。8英寸SiC襯底在降低器件成本、增加產(chǎn)能供應方面擁有巨大潛力。相比于6英寸襯底，同等條件下從8英寸襯底切出的芯片數(shù)會提升將近90%。8英寸單片襯底制備的器件成本降低30%左右。5年內(nèi), SiC進入全面8英寸時代。
業(yè)界將SiC產(chǎn)業(yè)鏈降本增效目標鎖定在8英寸襯底上，國外大廠加速推進，產(chǎn)能提升，搶占先機。國內(nèi)8英寸進展方面，從2022年開始，目前已有十余家企業(yè)與機構公布8英SiC襯底開發(fā)成功，整體處于小批量驗證導入量產(chǎn)進程中，加快產(chǎn)能提升，縮小與國外差距。8英寸4H-SiC晶體制備難點涉及高質(zhì)量8英寸4H-SiC籽晶制備，溫度場不均勻和成核過程控制，氣相物質(zhì)組分輸運效率和演變規(guī)律，熱應力增大導致的晶體開裂和缺陷增殖，大尺寸晶圓的超精密加工及面型控制等。
報告分享了8英寸SiC研究進展，涉及核心裝備自主研發(fā)，8英寸SiC籽晶制備，8英寸溫場優(yōu)化，8英寸單晶襯底制備，8英寸襯底微管缺陷，8英寸襯底性能表征，8英寸襯底位錯缺陷，TSD向外延層延伸轉(zhuǎn)化，同步輻射觀察晶體中TSD，晶體中TSD增殖的影響因素，晶體生長過程中TSD行為，8英寸襯底BPD缺陷控制，8英寸襯底（500um）面型參數(shù)控制等。
研究結(jié)果顯示，以6英寸籽晶為起點，每次設定一定的擴徑尺寸進行單晶生長與加工，得到直徑變大的新籽晶。通過多次迭代，逐步擴大SiC晶體的尺寸直到達到8英寸。制備了8英寸導電型4H-SiC晶體，加工出了8英寸4H-SiC襯底；經(jīng)拉曼測試，無6H和15R等多型，4H晶型面積比例達到100%，實現(xiàn)了8英寸4H-SiC單一晶型控制。繼續(xù)迭代優(yōu)化，減少了6英寸以外的擴徑區(qū)域的微管缺陷數(shù)量；8英寸襯底微管密度穩(wěn)定控制在0.1cm-2以下，與6英寸襯底量產(chǎn)水平一致。8英寸SiC襯底要實現(xiàn)量產(chǎn)，提升市場份額，還需要進一步降低位錯缺陷密度；TSD和BPD對器件性能影響較大，TED對器件性能影響相對較小。襯底中的TSD作為貫穿型缺陷，大部分直接延伸到外延層中，小部分發(fā)生轉(zhuǎn)化。晶體生長過程中二維成核、異相包裹物等因素，誘發(fā)TSD 成核產(chǎn)生，造成TSD的增殖。晶體生長過程中位錯間相互作用或轉(zhuǎn)化導致TSD合并或湮滅。南砂晶圓公司聯(lián)合山東大學實現(xiàn)了近“零螺位錯”密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備。
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司于2018年9月21日在廣州南沙自貿(mào)區(qū)成立，是一家集碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷售于一體的國家高新技術企業(yè)；公司以山東大學近年來研發(fā)的最新碳化硅單晶生長和襯底加工技術成果為基礎，同山東大學開展全方位產(chǎn)學研合作。 2022年9月南沙總部基地投入使用，擴產(chǎn)SiC單晶生長和加工產(chǎn)線。2023年啟動濟南中晶芯源基地建設，增加8英寸比例。8英寸N型碳化硅產(chǎn)品產(chǎn)能正在爬坡，已交付多家客戶。
報告指出，在應用升級和政策驅(qū)動的雙重帶動下，我國8英寸SiC發(fā)展進入快車道；需要上下游通力合作，搶抓機遇，提升國產(chǎn)8英寸SiC材料和器件的技術成熟度，搶占市場份額，實現(xiàn)國產(chǎn)化。
