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上海合晶：正推進(jìn)12英寸55納米CIS外延片量產(chǎn)

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標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程

助力科技中國戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家標(biāo)準(zhǔn)正式實(shí)施

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

總投資12.3億元，立昂微年產(chǎn)96萬片12英寸硅外延片項(xiàng)目落地

總投資12.3億，立昂微年產(chǎn)96萬片12英寸硅外延片生產(chǎn)項(xiàng)目落戶

全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工

全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工

北京智慧能源研究院SiC外延片公開招標(biāo)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評第二次公示

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標(biāo)公告二次

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標(biāo)公告

CASICON晶體大會前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

總投資超14億元，麥斯克電子年產(chǎn)360萬片8英寸硅外延片項(xiàng)目封頂

能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目動工，將新建6英寸GaN外延片產(chǎn)線

上海合晶：將積極探索及開發(fā)CIS等模擬器件使用12英寸外延片產(chǎn)品

晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計劃實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)75萬片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

上海合晶募資超15億元投資優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)項(xiàng)目

半導(dǎo)體硅外延片一體化制造商上海合晶啟動科創(chuàng)板IPO

第四代半導(dǎo)體迎來新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

電科材料下屬國盛公司第一枚碳化硅外延片正式下線

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