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大連理工大學(xué)團(tuán)隊(duì):通過提高晶體質(zhì)量
增強(qiáng)
β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性
評(píng)論 ?
2025-05-27 16:50
北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A
增強(qiáng)
型GaN器件
評(píng)論 ?
2025-05-22 18:32
CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳:E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性
增強(qiáng)
研究
評(píng)論 ?
2025-05-19 11:02
歐洲投資銀行發(fā)起“科技?xì)W盟”項(xiàng)目,以
增強(qiáng)
AI、半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力
評(píng)論 ?
2025-05-19 08:29
北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室、福州大學(xué)孫捷課題組:局域表面等離子體
增強(qiáng)
納米柱Micro-LED發(fā)光
評(píng)論 ?
2025-01-20 09:18
杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破,助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V
增強(qiáng)
型晶體管
評(píng)論 ?
2024-12-30 07:45
成都氮矽科技申請(qǐng) N 面
增強(qiáng)
型 GaN 雙向功率器件專利,提高器件的抗輻照能力
評(píng)論 ?
2024-12-19 15:43
安森美將收購(gòu)碳化硅JFET技術(shù),以
增強(qiáng)
其針對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合
評(píng)論 ?
2024-12-10 16:47
無錫博通申請(qǐng)半橋GaN
增強(qiáng)
型開關(guān)器件及其制備方法專利,保證器件的高速開關(guān)
評(píng)論 ?
2024-10-29 17:53
Facebook開發(fā)的首款
增強(qiáng)
現(xiàn)實(shí)AR眼鏡采用碳化硅材料,開拓元宇宙領(lǐng)域的新藍(lán)海市場(chǎng)
評(píng)論 ?
2024-09-01 17:24
我國(guó)攻克1200V以上
增強(qiáng)
型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)
評(píng)論 ?
2024-07-19 10:57
西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上
增強(qiáng)
型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)
評(píng)論 ?
2024-07-11 17:31
安森美完成收購(gòu)SWIR Vision Systems,
增強(qiáng)
智能感知產(chǎn)品組合
評(píng)論 ?
2024-07-04 13:56
科技成果推介|
增強(qiáng)
型GaN電力電子器件
評(píng)論 ?
2024-06-12 16:05
斯達(dá)半導(dǎo)取得功率模塊專利,
增強(qiáng)
功率半導(dǎo)體模塊的使用壽命
評(píng)論 ?
2024-05-31 08:21
呂堅(jiān)院士團(tuán)隊(duì) l 3D打印莫來石
增強(qiáng)
的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料
評(píng)論 ?
2024-05-27 10:26
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇:PGaN
增強(qiáng)
型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)
評(píng)論 ?
2024-04-19 15:02
成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極
增強(qiáng)
型電力電子器件
評(píng)論 ?
2024-03-13 20:11
大阪公立大學(xué)梁劍波:
增強(qiáng)
GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能,以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用
評(píng)論 ?
2023-12-22 16:31
IFWS 2023│氮矽科技朱仁強(qiáng):
增強(qiáng)
型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-12-08 15:49
西安交通大學(xué)王瑋:低功函數(shù)柵極
增強(qiáng)
型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究
評(píng)論 ?
2023-08-01 14:44
CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋:低功函數(shù)柵極
增強(qiáng)
型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究
評(píng)論 ?
2023-07-13 16:02
新微半導(dǎo)體40V
增強(qiáng)
型氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)
評(píng)論 ?
2023-05-19 17:38
十年來我國(guó)科技事業(yè)發(fā)生歷史性變化 四個(gè)顯著
增強(qiáng)
評(píng)論 ?
2023-05-15 14:28
技術(shù)分享:基于氮化鎵單晶襯底的
增強(qiáng)
型氮化鎵HEMTs
評(píng)論 ?
2022-09-15 17:03
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院成功研制新原理機(jī)器視覺
增強(qiáng)
芯片
評(píng)論 ?
2022-08-05 11:26
紫外
增強(qiáng)
圖像傳感器的研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-05-13 16:21
清華大學(xué)交叉信息研究院段路明課題組實(shí)現(xiàn)量子存儲(chǔ)器
增強(qiáng)
的非局域圖態(tài)制備
評(píng)論 ?
2022-03-01 15:45
重大突破!碳化硅量子比特刷新紀(jì)錄:量子態(tài)保持超5秒,信號(hào)
增強(qiáng)
萬(wàn)倍
評(píng)論 ?
2022-02-09 10:13
西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果:基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝?span id="c2hgqqc" class="highlight">增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs
評(píng)論 ?
2021-12-22 16:28
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