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南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

氮化鎵功率電子器件技術進展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術進展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展

氮化鎵功率電子器件技術進展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

上應大科研團隊在光探測材料與器件領域取得重要進展！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開區(qū)) 項目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強電子網(wǎng)優(yōu)質供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產品牌評選”進入公眾投票階段

鎵和半導體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

碳化硅功率器件及其封裝技術（二）|IFWS&SSLCHINA2024

專家說丨化合物半導體器件的三大方向進展

碳化硅功率器件及其封裝技術發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

哈爾濱工業(yè)大學在碳化硅集成光量子糾纏器件領域取得新突破

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設備 |?IFWS&SSLCHINA2024

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術與典型應用| IFWS2024

眾專家學者探討氮化鎵射頻電子器件與應用的進展與趨勢 |IFWS&SSLCHINA2024

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術 | IFWS&SSLCHINA2024

北京大學沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

擬投資14億！佳麗美半導體電子分立器件制造總部項目簽約落戶丹灶

第十七屆誠邀提名 | “2024年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產品牌評選”重磅開啟！

國宇電子功率器件項目簽約揚州

國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

湖南三安半導體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復合結構及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

北京量子院徐洪起團隊在半導體耦合多量子點器件研究中取得進展

氮化鎵功率電子器件技術分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

聯(lián)合微電子中心取得一種半導體器件專利，提升半導體器件性能

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