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中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

天岳先進(jìn)：已自主研發(fā)出2-6英寸半絕緣型及導(dǎo)電型碳化硅襯底制備技術(shù)

高導(dǎo)熱金剛石/銅復(fù)合材料的制備與界面調(diào)控研究進(jìn)展

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過選擇性生長方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

高導(dǎo)熱金剛石材料的制備及器件應(yīng)用進(jìn)展

我國科學(xué)家成功制備白光鈣鈦礦發(fā)光二極管

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所團(tuán)隊(duì)首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸相變存儲單元器件

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

長春理工大學(xué)王登魁團(tuán)隊(duì)在制備CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線紫外光電探測器取得研究進(jìn)展

南科大鄧巍巍課題組在打印制備剪紙有機(jī)光伏電池領(lǐng)域取得新成果

華中科技大學(xué)黃亮課題組提出膨化制備超薄氧化物新策略

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

國際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

蘇州大學(xué)揭建勝教授團(tuán)隊(duì)提出有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體材料制備與測試系統(tǒng)公開招標(biāo)公告

北大材料學(xué)院劉磊課題組在六方氮化硼材料的制備及其同位素效應(yīng)研究中取得系列進(jìn)展

中科院化學(xué)所在印刷制備單一取向有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列方面取得進(jìn)展

云南鍺業(yè)：以大直徑低位錯(cuò)密度鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料制備及其應(yīng)用為重點(diǎn)研究方向

清華大學(xué)交叉信息研究院段路明課題組實(shí)現(xiàn)量子存儲器增強(qiáng)的非局域圖態(tài)制備

中國人大陳珊珊教授團(tuán)隊(duì)在寬帶隙超薄二維氮化鎵的可控制備方面獲新進(jìn)展

上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備大尺寸/復(fù)雜形狀高純氧化鋁部件方面取得新進(jìn)展

西安交通大學(xué)李強(qiáng)：hBN薄膜的制備與應(yīng)用

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)成功突破柔性高性能GaN半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)

南方科技大學(xué)孫小衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)通過噴墨打印制備出業(yè)界壽命最長的量子點(diǎn)發(fā)光二極管

【CASICON 2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及電阻開關(guān)特性研究

【CASICON 2021】奧趨光電吳亮：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

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