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“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專(zhuān)利發(fā)布

【CASICON 2023】河北工業(yè)大學(xué)張紫輝教授：GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

首屆九峰山論壇召開(kāi) 共議化合物半導(dǎo)體關(guān)鍵材料與制備工藝趨勢(shì)

中國(guó)科大制備出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦單晶LED

打破國(guó)外壟斷武漢先進(jìn)院有機(jī)硅材料制備技術(shù)取得突破

簡(jiǎn)述碳化硅襯底制備的重點(diǎn)與難點(diǎn)

科友半導(dǎo)體董事長(zhǎng)趙麗麗：電阻爐八英寸碳化硅制備技術(shù)探索

西安郵電大學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成功制備高耐壓性能半導(dǎo)體材料

山東大學(xué)教授陳秀芳：大尺寸4H-SiC單晶擴(kuò)徑及襯底制備

國(guó)內(nèi)第一！中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來(lái)

華南理工大學(xué)微納電子加工平臺(tái)制備設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目（三）（子包4：MOCVD采購(gòu)）二次（項(xiàng)目編號(hào)：0835-220Z11909521-2）恢復(fù)采購(gòu)公告

簡(jiǎn)述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡(jiǎn)述氮化鎵的合成制備及展望

快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

北京理工大學(xué)晶圓級(jí)量子探測(cè)材料制備設(shè)備采購(gòu)公開(kāi)招標(biāo)公告

碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用技術(shù)進(jìn)展

馮志紅團(tuán)隊(duì)在(001)單晶金剛石上制備了具有同質(zhì)外延層的金剛石FET

中國(guó)科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

天岳先進(jìn)：已自主研發(fā)出2-6英寸半絕緣型及導(dǎo)電型碳化硅襯底制備技術(shù)

高導(dǎo)熱金剛石/銅復(fù)合材料的制備與界面調(diào)控研究進(jìn)展

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)選擇性生長(zhǎng)方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

高導(dǎo)熱金剛石材料的制備及器件應(yīng)用進(jìn)展

我國(guó)科學(xué)家成功制備白光鈣鈦礦發(fā)光二極管

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所團(tuán)隊(duì)首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸相變存儲(chǔ)單元器件

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

長(zhǎng)春理工大學(xué)王登魁團(tuán)隊(duì)在制備CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線紫外光電探測(cè)器取得研究進(jìn)展

南科大鄧巍巍課題組在打印制備剪紙有機(jī)光伏電池領(lǐng)域取得新成果

華中科技大學(xué)黃亮課題組提出膨化制備超薄氧化物新策略

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