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盛美臨港研發(fā)與制造中心首臺量測設備KLA-Tencor Surfscan SP7入駐

投資7億美元，AIST與英特爾將在日本合作建立尖端半導體研究中心

英特爾將在日本新建芯片研發(fā)中心

“盛美半導體設備研發(fā)與制造中心”廠房A順利封頂

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側邊緣的生長速率相一致

電子科大國家工程技術研究中心在二維單相多鐵方向取得重大突破

國創(chuàng)中心與寧德時代聯(lián)合掛牌車規(guī)芯片測評驗證合作實驗室

芯派智能電源電驅系統(tǒng)創(chuàng)新中心項目主體封頂，預計年產(chǎn)25億元

寬禁帶半導體挺進AI數(shù)據(jù)中心

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質外延Micro-LED”取得新突破

比亞迪公布深圳全球研發(fā)中心規(guī)劃總投資200億元

盛美半導體收到美國客戶和研發(fā)中心的晶圓級封裝設備訂單

順絡電子：公司數(shù)據(jù)中心目前主要覆蓋SSD、DDR5、服務器領域的客戶

國家火炬中心固安半導體產(chǎn)業(yè)基地投運

蔚來能源總部落戶光谷，新建2萬平能源制造中心

萬業(yè)企業(yè)與國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略協(xié)議

盛美半導體設備研發(fā)與制造中心試生產(chǎn)

萬業(yè)企業(yè)與國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略協(xié)議

總投資17.1億元，國家火炬中心固安半導體產(chǎn)業(yè)基地項目將于8月20日正式開園

覆銅陶瓷基板聯(lián)合研發(fā)中心成立

納微推出TOLL封裝版第三代快速碳化硅MOSFETs，專為AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車等大功率場景打造

應用材料40億美元研發(fā)中心項目的美國芯片法案撥款申請遭拒

香港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

湃邦上海研發(fā)中心落戶外高橋

新紫光、北科大簽約，共建8英寸二維半導體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心等

《人民日報》：湖北武漢深化科技體制改革，建設具有全國影響力的科技創(chuàng)新中心

投資4900萬元，拓普泰克智能控制器研發(fā)中心落地西咸新區(qū)

芯華創(chuàng)新中心&芯未半導體碳化硅研發(fā)驗證平臺正式通線投產(chǎn)

東南大學微納系統(tǒng)國際創(chuàng)新中心碳化硅高溫離子激活爐采購項目公開招標公告

山東累計建成開通5G基站22.4萬個，建成數(shù)據(jù)中心標準機架35.1萬個

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