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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在二維陣列激光器方面取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

中國(guó)科學(xué)院關(guān)于EDA技術(shù)創(chuàng)新的三篇論文被DAC2025錄用

中國(guó)科學(xué)院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所等在層狀半導(dǎo)體材料的拉曼散射理論和實(shí)驗(yàn)方面取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院微電子所在Chiplet熱仿真工具研究方面取得新進(jìn)展

前瞻|中國(guó)科學(xué)院微電子所姚毅旭將出席“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”并做報(bào)告

前瞻|中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所游天桂將出席“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”并做報(bào)告

中國(guó)科學(xué)院頒發(fā)2024年度杰出科技成就獎(jiǎng)

中國(guó)科學(xué)院研制出新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開(kāi)發(fā)套件

中國(guó)科學(xué)院院士楊德仁：半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)——IFWS&SSLCHINA2024

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所SiC晶圓平坦化設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商

中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所張德清課題組在聚合物半導(dǎo)體圖案化加工方面取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯(cuò)演化機(jī)制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)半導(dǎo)體所有源光束掃描激光器研發(fā)取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所董煥麗課題組在高偏振紫外日盲有機(jī)光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理所李剛：高質(zhì)強(qiáng)光光學(xué)元件制造與薄片激光技術(shù)

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所伍紹騰:基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：面向硅光集成的III-V族量子點(diǎn)材料與激光器

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)：氮化物位錯(cuò)演化及控制研究

武漢大學(xué)聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運(yùn)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過(guò)流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻 |中國(guó)科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)的研究

2024九峰山論壇｜中國(guó)科學(xué)院院士劉勝：為化合物半導(dǎo)體應(yīng)用開(kāi)拓更多“新賽道”

中國(guó)科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

【招聘】中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所寬禁帶半導(dǎo)體方向誠(chéng)聘博士后

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺(jué)芯片研制取得新進(jìn)展

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)取得突破

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