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中國科學(xué)院化學(xué)研究所董煥麗課題組在高偏振紫外日盲有機(jī)光探測器方面取得新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國科學(xué)院大連化學(xué)物理所李剛：高質(zhì)強(qiáng)光光學(xué)元件制造與薄片激光技術(shù)

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所伍紹騰:基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：面向硅光集成的III-V族量子點(diǎn)材料與激光器

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)：氮化物位錯(cuò)演化及控制研究

武漢大學(xué)聯(lián)合中國科學(xué)院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運(yùn)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學(xué)院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

2024九峰山論壇｜中國科學(xué)院院士劉勝：為化合物半導(dǎo)體應(yīng)用開拓更多“新賽道”

中國科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

【招聘】中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所寬禁帶半導(dǎo)體方向誠聘博士后

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進(jìn)展

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長取得突破

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所榮獲北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)

2023年中國科學(xué)院“年度創(chuàng)新人物“丨陳小龍：國產(chǎn)化碳化硅晶片的開路人

中國科學(xué)院長春光機(jī)所黎大兵研究團(tuán)隊(duì)喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

中國科學(xué)院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進(jìn)展

IFWS 2023│中國科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長及深能級(jí)缺陷研究

IFWS 2023│中國科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

IFWS&SSLCHINA2023│中國科學(xué)院院士、廈門大學(xué)黨委書記、教授張榮：寬禁帶半導(dǎo)體的幾個(gè)基礎(chǔ)問題

中國科學(xué)院院士郝躍：第三代半導(dǎo)體的若干新進(jìn)展

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所等在莫爾異質(zhì)結(jié)層間激子研究方面取得進(jìn)展

中國科學(xué)院院士鄒廣田：金剛石不僅能用作半導(dǎo)體，未來應(yīng)用領(lǐng)域更廣

中國科學(xué)院公布2023年院士增選有效候選人名單

中國科學(xué)院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所青年研究員梁鋒：大功率GaN基藍(lán)光激光器研究進(jìn)展

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進(jìn)展

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