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比利時氮化鎵廠商BelGaN破產損失高達100萬歐元

大富科技擬1億元受讓安徽云塔20%股權

華潤微電子與華南理工大學共建射頻微電子技術聯(lián)合實驗室

半導體設備商屹唐股份正式登陸科創(chuàng)板，市值達774億元

imec與TEL宣布共促后2nm尖端制程發(fā)展

第六屆全國寬禁帶半導體學術會議征文&報名火熱進行中！

羅姆碳化硅 MOSFET 裸芯片獲豐田 bZ5 電動汽車牽引逆變器應用

安徽格恩半導體申請氮化鎵基半導體激光器元件專利，提升限制因子

ROHM 回應合作方臺積電計劃 2027 年退出氮化鎵：暫無重大影響

研微半導體完成A輪首批數(shù)億元融資，累計融資額近10億

港科大與比亞迪成立具身智能聯(lián)合實驗室

晶盛機電馬來西亞 SiC 工廠啟動！

【年薪可達50萬】廈門大學寬禁帶半導體研究組2025年誠聘博士后（理論計算模擬方向）

加速智能化！國星光電推出超薄高耐壓光耦新品

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應釜設計制造技術”項目啟動暨實施方案論證會召開

四部門：加快高壓碳化硅模塊、主控芯片等核心器件國產化替代

北方華創(chuàng)發(fā)布12英寸先進低壓化學氣相硅沉積立式爐設備

總投資20億元，廈門路維光電有高世代高精度光掩膜項目奠基

深圳出臺10條舉措促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展

Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

中國科學院半導體研究所獲批“北京國際科技合作基地”

英飛凌宣布：在300mm氮化鎵生產路線圖方面取得突破！

臺積電證實：未來兩年內逐步退出氮化鎵業(yè)務

晶合集成獲得實用新型專利授權：“一種半導體芯片的測試裝置”

武漢敏聲發(fā)布新款濾波器

揚杰科技調整收購方案擬現(xiàn)金收購貝特電子股權

永太科技等被天賜材料起訴索賠8.88億元，永太科技訴天賜材料名譽侵權要求賠償近5752萬元

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