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機構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長兩倍，至420億美元

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學技術(shù)大學楊樹：GaN功率電子器件動態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

2025云南晶體大會前瞻|廣東工業(yè)大學張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測等三個募投項目

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術(shù)大學楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場2034年將增至110.8億美元

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風潮

CASICON晶體大會前瞻 |廣東工業(yè)大學張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對 GaN功率電子器件的影響研究

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強型GaN功率器件設(shè)計與仿真技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半導(dǎo)體劉成：應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學魏進：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？

三安宣布進軍美洲市場，為市場提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

深圳大學劉新科：低成本垂直GaN功率器件

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IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

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CASICON西安前瞻| 中國科學院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進展

CASICON西安站前瞻|中國科學院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

【CASICON 2023】河北工業(yè)大學張紫輝教授：GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

賽微電子：GaN 業(yè)務(wù)積極推進已推出數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品并進入小批量試產(chǎn)

鋮昌科技新產(chǎn)品GaN功率放大器芯片已實現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體的2023預(yù)測

宏光半導(dǎo)體攜手協(xié)鑫集團布局GaN功率芯片在新能源領(lǐng)域應(yīng)用

限時回放|強芯沙龍第二期精彩不容錯過！大咖做客暢聊GaN功率半導(dǎo)體的現(xiàn)在與未來

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