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派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

碳化硅襯底龍頭天岳先進擬港股上市

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

河北同光半導體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請碳化硅襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應力分布均勻

長飛先進武漢碳化硅基地設備進場

上海積塔半導體申請碳化硅晶體管結(jié)構及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

年產(chǎn)36萬片，武漢一6寸碳化硅晶圓項目，首批設備搬入

金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)

金信新材料芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目新進展

突發(fā)！北京這家明星碳化硅企業(yè)，破產(chǎn)清算！

天岳先進攜12英寸導電N型碳化硅襯底亮相SEMICON Japan 2024

總投資約2.3億元，賽美泰克IGBT及碳化硅產(chǎn)線核心設備項目持續(xù)刷新紀錄

雷諾與意法半導體簽署碳化硅長期供應協(xié)議

泰科天潤“一種低導通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權

三安光電林志東：8英寸碳化硅擬明年通線量產(chǎn)

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安森美將收購碳化硅JFET技術，以增強其針對人工智能數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

碳化硅功率器件及其封裝技術（二）|IFWS&SSLCHINA2024

超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地，全面開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

碳化硅功率器件及其封裝技術發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

Victor Veliadis教授：加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進程

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

海外首發(fā)！天岳先進300mmN型碳化硅襯底全新亮相

近5億，上海林眾電子碳化硅相關項目正式啟用

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術分會日程出爐

晶盛機電：8英寸碳化硅外延設備和光學量測設備順利實現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機拓展至國內(nèi)頭部封裝客戶

天岳先進向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底

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