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應(yīng)用
基本半導(dǎo)體“
碳化硅
基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布
評論 ?
2025-01-07 14:55
基本半導(dǎo)體“
碳化硅
基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布
評論 ?
2025-01-06 09:40
士蘭集宏8英寸
碳化硅
芯片項目預(yù)計2026年一季度試生產(chǎn)
評論 ?
2025-01-03 16:49
總投資約300億元,重慶8英寸
碳化硅
項目2月底通線投片!
評論 ?
2025-01-03 08:58
派恩杰“一種
碳化硅
晶圓襯底的制備方法及
碳化硅
晶圓襯底”專利公布
評論 ?
2024-12-31 16:08
碳化硅
襯底龍頭天岳先進(jìn)擬港股上市
評論 ?
2024-12-31 09:44
爍科晶體:全球首發(fā)12英寸(300mm)高純半絕緣
碳化硅
襯底
評論 ?
2024-12-31 09:28
河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的
碳化硅
單晶柔性膜專利,實現(xiàn)
碳化硅
薄膜高效剝離且無損傷
評論 ?
2024-12-27 14:54
浙江材孜科技取得
碳化硅
單晶生長裝置專利,有利于生長空間的穩(wěn)定性
評論 ?
2024-12-24 16:04
派恩杰“一種
碳化硅
晶圓襯底的制備方法及
碳化硅
晶圓襯底”專利公布
評論 ?
2024-12-24 10:32
華為申請
碳化硅
襯底制備方法專利,使
碳化硅
襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻
評論 ?
2024-12-23 16:54
長飛先進(jìn)武漢
碳化硅
基地設(shè)備進(jìn)場
評論 ?
2024-12-19 16:54
上海積塔半導(dǎo)體申請
碳化硅
晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利,有效降低器件VFSD
評論 ?
2024-12-19 14:48
年產(chǎn)36萬片,武漢一6寸
碳化硅
晶圓項目,首批設(shè)備搬入
評論 ?
2024-12-19 11:49
金信新材料芯片用8英寸
碳化硅
晶錠項目完成研發(fā)
評論 ?
2024-12-18 16:28
金信新材料芯片用第三代半導(dǎo)體8英寸
碳化硅
晶錠項目新進(jìn)展
評論 ?
2024-12-18 11:51
突發(fā)!北京這家明星
碳化硅
企業(yè),破產(chǎn)清算!
評論 ?
2024-12-18 09:10
天岳先進(jìn)攜12英寸導(dǎo)電N型
碳化硅
襯底亮相SEMICON Japan 2024
天岳先進(jìn)
SEMICON
JAPAN
碳化硅
SiC
12英寸
碳化硅襯底
評論 ?
2024-12-17 10:48
總投資約2.3億元,賽美泰克IGBT及
碳化硅
產(chǎn)線核心設(shè)備項目持續(xù)刷新紀(jì)錄
評論 ?
2024-12-13 14:36
雷諾與意法半導(dǎo)體簽署
碳化硅
長期供應(yīng)協(xié)議
評論 ?
2024-12-12 17:44
泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向
碳化硅
MOSFET”專利獲授權(quán)
評論 ?
2024-12-12 13:55
三安光電林志東:8英寸
碳化硅
擬明年通線量產(chǎn)
評論 ?
2024-12-12 11:31
泰科天潤“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向
碳化硅
MOSFET”專利獲授權(quán)
評論 ?
2024-12-11 15:52
安森美將收購
碳化硅
JFET技術(shù),以增強其針對人工智能數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合
評論 ?
2024-12-10 16:47
碳化硅
功率器件及其封裝技術(shù)(二)|IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-10 15:02
超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地,全面開啟8英寸
碳化硅
單晶襯底量產(chǎn)
評論 ?
2024-12-09 17:06
碳化硅
功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討(一)|IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-09 11:40
Victor Veliadis教授:加速
碳化硅
芯片和功率電子的商業(yè)化進(jìn)程
評論 ?
2024-12-06 15:09
康美特龐凱敏:高可靠性
碳化硅
IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-11-28 14:15
海外首發(fā)!天岳先進(jìn)300mmN型
碳化硅
襯底全新亮相
評論 ?
2024-11-14 09:11
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