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廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

鎵仁半導(dǎo)體與德國NextGO.Epi攜手，推動氧化鎵應(yīng)用

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜?span id="dta9wdv" class="highlight">氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體申請新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管專利

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

鎵仁半導(dǎo)體董事長張輝：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進展 | CASICON重慶站

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

一批半導(dǎo)體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

長光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

張道華院士：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

總投資8.97億！雅克科技擬建設(shè)球形硅微粉、球形氧化鋁項目

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

CASICON晶體大會前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破

廈門大學(xué)團隊在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進展

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